[發明專利]寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器

有效

• 申請號: 201310310884.6
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN103383977A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 張志偉;繆國慶;宋航;蔣紅;黎大兵;孫曉娟;陳一仁;李志明
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105;H01L31/0304;H01L31/0352
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 王丹陽

1.寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，包括依次生長在GaAs襯底(1)上的緩沖層(2)、吸收層(3)和蓋層(4)，其特征在于，所述緩沖層(2)為摻Si的InAsP，厚度為0.5-1.5μm，所述吸收層(3)為低摻雜Si的In_0.82Ga_0.18As，厚度為2.5-3.5μm，所述蓋層(4)為摻Be的InAlAs，厚度為0.5-1.5μm。

2.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述GaAs襯底(1)為高摻雜n型GaAs單晶襯底。

3.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述InAsP為InAs_0.60P_0.40。

4.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述InAlAs的In組分與In_0.82Ga_0.18As的In組分相同。

5.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述緩沖層(2)Si的摻雜濃度為2×10¹⁸cm^-3。

6.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述吸收層(3)Si的摻雜濃度為8×10¹⁶cm^-3。

7.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述蓋層(4)Be的摻雜濃度為8×10¹⁷cm^-3。

8.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述緩沖層(2)、吸收層(3)和蓋層(4)均采用金屬有機物化學氣相沉積技術生長。

9.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述緩沖層(2)采用兩步法生長制備，兩步生長溫度分別為450℃和580℃。

10.根據權利要求1所述的寬探測波段的InGaAs/GaAs紅外探測器，其特征在于，所述吸收層(3)的生長溫度為550℃。