[發(fā)明專利]一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310310745.3
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN103390858A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張星;寧永強;秦莉;劉云;王立軍
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/028
• 代理公司: 長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所 22210
• 代理人: 陶尊新

1.一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器，包括P面電極（1）、多層介質(zhì)絕緣薄膜（2）、P型DBR層（3）、有源層（4）、N型DBR層（5）、襯底層（6）和N面電極（7），其特征在于，所述的多層介質(zhì)絕緣薄膜（2）由光學(xué)厚度為四分之一波長的低折射率層（8）和高折射率層（9）組成，所述的N型DBR層（5）生長在有源層（4）的下端，N型DBR層（5）的下端順次生長襯底層（6）和N面電極（7），P型DBR層生長在有源層（4）的上端，多層介質(zhì)絕緣薄膜（2）生長在由P型DBR層（3）、有源層（4）和N型DBR層（5）構(gòu)成的圓柱形臺面的上表面和側(cè)表面，P面電極（1）生長在多層介質(zhì)絕緣薄膜（2）的上端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的低折射率層（8）材料為SiO₂，高折射率層（9）材料為TiO₂或HfO₂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的P型DBR層（3）和N型DBR層（5）均為GaAs/AlAs結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的多層介質(zhì)絕緣薄膜（2）為SiO2/TiO2或SiO2/HfO2周期性結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的P面電極（1）為Ti/Au或Ti/Pt/Au結(jié)構(gòu)，N面電極（7）為Au/Ge/Ni、AuGeNi/Au、Au/Ge或Pt/Au/Ge結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的N型DBR層（3）、P型DBR層（5）、有源層（4）均使用MOCVD外延生長法生長。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述的多層介質(zhì)絕緣薄膜（2）采用電子束或磁控濺射法生長。