[發明專利]一種大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法有效
| 申請號： | 201310310028.0 | 申請日： | 2013-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN104332398B | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 顧長志;胡趙勝;李俊杰;全保剛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)11390 | 代理人： | 王藝 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 大面積 制備 傘狀硅錐 復合 結構 陣列 方法 | ||
1.一種大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟A：在清洗好的硅襯底基片上，采用鍍膜設備生長的氮化硅層；
步驟B：在氮化硅層上旋涂光刻膠，采用紫外光刻法在光刻膠上制備正方形陣列圖形；
步驟C：將步驟B中得到的產品采用酸性溶液各向同性腐蝕和堿性溶液各向異性腐蝕出傘狀硅錐陣列；
步驟D：將經上一步處理后的產品放置于氫氟酸以及去離子水中洗去殘留的氮化硅；
在步驟C中，所述堿性溶液為氫氧化鉀和四甲基氫氧化銨，產品先在氫氧化鉀中被腐蝕1min-10min，再在四甲基氫氧化銨中被腐蝕1min-9min，且通過控制產品在氫氧化鉀和四甲基氫氧化銨中被腐蝕的時間，能夠調節錐的尺寸比例。
2.如權利要求1所述的大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于，在步驟C中，所述酸性溶液包括氫氟酸。
3.如權利要求1中所述的大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于，在步驟B中，所述光刻膠為紫外線敏感光刻膠。
4.如權利要求1中所述的大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于，在步驟A中，硅襯底基片清洗好后，還需要在熱板上烘烤5min-10min。
5.如權利要求1中所述的大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于，在步驟A中生長的氮化硅層的厚度為30nm-50nm。
6.如權利要求1中所述的大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于，在步驟B中，在氮化硅上旋涂光刻膠后，需要利用熱板或烘箱烘烤1min-2min。
7.如權利要求1中所述的大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于，在步驟B中，在紫外線光刻過程中，紫外線曝光時間為15s-18s。
8.如權利要求1中所述的大面積制備傘狀硅錐復合結構陣列的方法，其特征在于，
在步驟A中，對硅襯底的清洗包括丙酮、酒精、去離子水三步超聲清洗，每步各清洗3～5分鐘,然后再使用氮氣槍吹干；
在步驟D中，在洗殘留的氮化硅過程中，先用氫氟酸液清洗1min，再用乙醇、去離子水各洗5min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
