[發(fā)明專利]DBC基板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310309527.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104332446A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 任杰;王豹子 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安永電電氣有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/14 | 分類號(hào)： | H01L23/14;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陜西省*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | dbc 基板 | ||
1.一種DBC基板，包括絕緣層以及形成于該絕緣層上的金屬層，所述的金屬層包括2個(gè)第一IGBT芯片焊接區(qū)、2個(gè)第二IGBT芯片焊接區(qū)、2個(gè)FRD芯片焊接區(qū)以及鍵合區(qū)，所述的第一IGBT芯片焊接區(qū)、第二IGBT芯片焊接區(qū)和FRD芯片焊接區(qū)對(duì)稱分布于所述鍵合區(qū)的兩側(cè)，位于所述鍵合區(qū)一側(cè)的第一IGBT芯片焊接區(qū)、第二IGBT芯片焊接區(qū)和FRD芯片沿縱向排列，且第二IGBT芯片焊接區(qū)位于第一IGBT芯片焊接區(qū)和FRD芯片之間，其特征在于：所述的鍵合區(qū)包括發(fā)射極引線鍵合區(qū)和柵極引線鍵合區(qū)，所述的柵極引線鍵合區(qū)的頂端與所述第一IGBT芯片焊接區(qū)的中心所在的水平線相交或相切，所述的柵極引線鍵合區(qū)的底端與第二IGBT芯片焊接區(qū)的中心所在的水平線相交或相切。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC基板，其特征在于：所述的柵極引線鍵合區(qū)和發(fā)射極引線鍵合區(qū)相對(duì)的側(cè)邊平行且均設(shè)置為L(zhǎng)形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC基板，其特征在于：所述的金屬層為銅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC基板，其特征在于：所述金屬層為銅合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DBC基板，其特征在于：所述銅合金為銅錳合金、銅鋅合金、銅鋁合金、銅鎂合金、銅鋯合金或銅鎳鎂合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC基板，其特征在于：所述的絕緣層為陶瓷片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DBC基板，其特征在于：所述的陶瓷片為氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹或碳化硅。
8.一種電子器件，其特征在于：包括權(quán)利要求1至7任一所述的DBC基板及焊接于該DBC基板上的芯片。
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