[發明專利]一種低壓差線性穩壓器及其軟啟動電路

在審

• 申請號: 201310309159.7
• 申請日: 2013-07-22
• 公開（公告）號: CN104331112A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 梁仁光;胡勝發
• 申請（專利權）人: 安凱(廣州）微電子技術有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種低壓差線性穩壓器的軟啟動電路，其特征在于，所述軟啟動電路包括：

第一控制端和第二控制端分別接入相互反相的第一使能控制信號和第二使能控制信號，電源端接入直流電源，地端接等電勢地，并從電壓為零開始逐步升高電壓以輸出斜坡電壓的斜坡電壓產生模塊；

第一輸入端接入固定參考電壓，第二輸入端連接斜坡電壓產生模塊的輸出端，輸出端輸出所述低壓差線性穩壓器的參考電壓，選擇所述固定參考電壓與所述斜坡電壓中電壓最小者作為所述參考電壓的電壓選擇模塊。

2.如權利要求1所述的軟啟動電路，其特征在于，所述斜坡電壓產生模塊包括：

PMOS功率管Mp8、PMOS功率管Mp9、PMOS功率管Mp10、PMOS功率管Mp11、電流源IB、NMOS功率管Mn5及電容C1；

所述PMOS功率管Mp8的柵極為所述斜坡電壓產生模塊的第一控制端，所述PMOS功率管Mp8的源極與所述PMOS功率管Mp9的源極以及所述PMOS功率管Mp10的源極的共接點為所述斜坡電壓產生模塊的電源端，所述PMOS功率管Mp8的漏極與所述PMOS功率管Mp10的柵極、所述PMOS功率管Mp9的柵極和漏極共接于所述PMOS功率管Mp11的源極，所述PMOS功率管Mp11的柵極與所述NMOS功率管Mn5的柵極的共接點為所述斜坡電壓產生模塊的第二控制端，所述電流源IB的輸入端連接所述PMOS功率管Mp11的漏極，所述NMOS功率管Mn5的漏極與所述電容C1的第一端及所述PMOS功率管Mp10的漏極的共接點為所述斜坡電壓產生模塊的輸出端，所述電流源IB的輸出端與所述NMOS功率管Mn5的源極以及所述電容C1的第二端的共接點為所述斜坡電壓產生模塊的地端。

3.如權利要求1所述的軟啟動電路，其特征在于，所述軟啟動電路與所述低壓差線性穩壓器中的誤差放大器共用所述電壓選擇模塊；

所述誤差放大器包括：

電流源I1、PMOS功率管Mp3、PMOS功率管Mp4、PMOS功率管Mp5、PMOS功率管Mp6、PMOS功率管Mp7、NMOS功率管Mn1、NMOS功率管Mn2、NMOS功率管Mn3、NMOS功率管Mn4以及所述電壓選擇模塊；

所述電流源I1的輸入端與所述PMOS功率管Mp5的漏極和柵極共接于所述PMOS功率管Mp4的柵極，所述PMOS功率管Mp4的源極與所述PMOS功率管Mp5的源極、所述PMOS功率管Mp6的源極以及所述PMOS功率管Mp7的源極共接于直流電源，所述PMOS功率管Mp4的漏極與所述電壓選擇模塊的電源端共接于所述PMOS功率管Mp3的源極，所述PMOS功率管Mp3的柵極接入分壓反饋電壓，所述PMOS功率管Mp6的柵極和漏極與所述PMOS功率管Mp7的柵極共接于所述NMOS功率管Mn1的漏極，所述PMOS功率管Mp7的漏極與所述NMOS功率管Mn2的漏極共接作為所述誤差放大器的輸出端，所述NMOS功率管Mn1的柵極與所述NMOS功率管Mn2的柵極共接并接入第二控制信號，所述NMOS功率管Mn1的源極與所述PMOS功率管Mp3的漏極共接于所述NMOS功率管Mn3的漏極，所述NMOS功率管Mn2的源極與所述電壓選擇模塊的輸出端共接于所述NMOS功率管Mn4的漏極，所述NMOS功率管Mn3的柵極與所述NMOS功率管Mn4的柵極共接并接入第一控制信號，所述電流源I1的輸出端與所述NMOS功率管Mn3的源極以及所述NMOS功率管Mn4的源極共接于等電勢地。

4.如權利要求3所述的軟啟動電路，其特征在于，所述電壓選擇模塊包括PMOS功率管Mp1和PMOS功率管Mp2，所述PMOS功率管Mp1的柵極和所述PMOS功率管Mp2的柵極分別為所述電壓選擇模塊的第一輸入端和第二輸入端，所述PMOS功率管Mp1的源極與所述PMOS功率管Mp2的源極的共接點為所述電壓選擇模塊的電源端，所述PMOS功率管Mp1的漏極與所述PMOS功率管Mp2的漏極的共接點為所述電壓選擇模塊的輸出端。

5.一種低壓差線性穩壓器，其特征在于，所述低壓差線性穩壓器包括如權利要求1至4任一項所述的軟啟動電路。