[發(fā)明專利]使用封裝的硅切換功率傳遞的系統(tǒng)和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310309111.6
• 申請(qǐng)日: 2007-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN103441756A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉·G·蔡-奧安;托馬斯·R·湯姆斯;博利斯·季米特諾夫·安德烈亞夫;賈斯汀·約瑟夫·羅森·加涅;施春蕾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/0175
• 分類號(hào): H03K19/0175
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

1.一種集成電路，其包括：

封裝，其包含第一封裝-襯底連接、第二封裝-襯底連接以及將所述第一封裝-襯底連接耦合到所述第二封裝-襯底連接的金屬化件，其中所述封裝為倒裝芯片封裝；以及

襯底，其經(jīng)由所述第一封裝-襯底連接和所述第二封裝-襯底連接以電和物理形式耦合到所述封裝，所述襯底包括多個(gè)功率域和一功率控制單元，所述封裝的所述第二封裝-襯底連接耦合到所述多個(gè)功率域中的特定功率域，所述功率控制單元包括邏輯和開關(guān)，所述開關(guān)包含耦合到電壓供應(yīng)端子的第一端子、耦合到所述邏輯的控制端子以及耦合到所述封裝的所述第一封裝-襯底連接的第二端子，所述邏輯經(jīng)配置以選擇性啟動(dòng)所述開關(guān)以經(jīng)由所述封裝的所述金屬化件向所述特定功率域分配功率，其中所述襯底囊封在所述封裝中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述特定功率域包括嵌入在所述襯底中的處理單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述開關(guān)經(jīng)定尺寸以滿足所述處理單元的峰值要求。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路，其中所述處理單元的所述峰值要求小于峰值功率密度乘以所述處理單元的襯底面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述功率控制單元適合產(chǎn)生電流斜坡以對(duì)與所述特定功率域相關(guān)聯(lián)的電容進(jìn)行充電。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述邏輯適合產(chǎn)生上電復(fù)位信號(hào)以復(fù)位所述特定功率域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述特定功率域進(jìn)一步包括箝位電路以將輸出從所述特定功率域箝位到已知的邏輯狀態(tài)，其中所述功率控制單元產(chǎn)生輸出箝位信號(hào)以啟動(dòng)所述箝位電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述電壓供應(yīng)端子包括第二封裝的輸出端子。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述襯底進(jìn)一步包括電跡線，所述電跡線耦合到所述第二端子和所述特定功率域的電組件以經(jīng)由與所述封裝的所述金屬化件平行的所述電跡線向所述電組件分配功率。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述開關(guān)經(jīng)配置以供應(yīng)小于所述多個(gè)功率域的最大負(fù)載之和的最大單位負(fù)載。

11.一種方法，其包括：

在嵌入襯底中的開關(guān)的控制端子處接收開關(guān)啟動(dòng)信號(hào)，所述襯底包含多個(gè)域，其中所述開關(guān)位于所述多個(gè)域中的第一域中；

響應(yīng)于接收到所述開關(guān)啟動(dòng)信號(hào)將信號(hào)切換到封裝的耦合到所述襯底的所述開關(guān)的第一封裝-襯底連接，其中所述封裝為囊封所述襯底的倒裝芯片封裝；以及

經(jīng)由所述封裝的金屬化件在所述多個(gè)域中的第二域處從所述封裝的第二封裝-襯底連接接收所述信號(hào)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中接收開關(guān)啟動(dòng)信號(hào)包括在所述開關(guān)的所述控制端子處從功率控制邏輯接收控制信號(hào)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一封裝-襯底連接和所述第二封裝-襯底連接耦合到凸塊，且其中所述封裝包括通過所述凸塊以物理和電形式耦合到所述襯底的倒裝芯片封裝。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中切換所述特定信號(hào)包括經(jīng)由所述封裝的金屬化件將所述開關(guān)的端子選擇性耦合到所述封裝的所述第一封裝-襯底連接以路由所述信號(hào)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述信號(hào)包括電源電壓。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二域包含處理器。

17.一種硅切換功率傳遞系統(tǒng)，其包括：

用于在襯底的功率控制單元處從電壓供應(yīng)端子接收電源的裝置；

用于接收控制信號(hào)的裝置；

用于將所述電源從所述電壓供應(yīng)端子切換到倒裝芯片封裝的第一功率封裝-襯底連接以經(jīng)由所述封裝的金屬化件將功率從所述電壓供應(yīng)端子分配到所述襯底的局部化功率域的裝置，其中所述倒裝芯片封裝包含所述第一功率封裝-襯底連接和耦合到所述局部化功率域的第二功率封裝-襯底連接，且其中所述倒裝芯片封裝囊封所述襯底。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的硅切換功率傳遞系統(tǒng)，其中所述電壓供應(yīng)端子包括耦合到所述封裝內(nèi)的第一金屬化件的第三封裝-襯底連接，所述第一金屬化件耦合到功率管理器集成電路。