[發明專利]微電子機械系統裝置、電子模塊、電子設備以及移動體

有效

• 申請號: 201310309015.1
• 申請日: 2013-07-22
• 公開（公告）號: CN103569938A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 古畑誠;田中悟
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;蘇萌萌

技術領域

本發明涉及一種微電子機械系統裝置、電子模塊、電子設備以及移動體。

背景技術

一直以來，已知一種對角速度等進行檢測的MEMS（Micro?Electro?Mechanical?System:微電子機械系統）裝置，所述MEMS裝置使用MEMS技術而在底基板上形成MEMS元件，并且將與MEMS元件相連接的配線形成在底基板上。

作為這種MEMS裝置的制造方法，例如通過陽極接合而將成為半導體元件的材料的硅基板接合于由玻璃等形成的底基板上。而且，通過如下方式而獲得MEMS裝置，即，以保留硅基板中的形成MEMS裝置的結構要素即MEMS元件的區域、以及形成與該MEMS元件相連接的配線的區域的方式，對硅基板進行蝕刻，并對MEMS元件及配線進行模切。

例如，在非專利文獻1中，作為底基板而使用SOI（Silicon?on?Insulator：絕緣體上硅）基板。而且，公開了如下的結構，即，在將MEMS元件配置在SOI基板上的MEMS裝置中，將以多晶硅為材料并用于與MEMS元件連接的配線埋入SOI基板中，并使該配線與作為連接目標的MEMS元件連接。在非專利文獻1的SOI基板中，在與埋入有配線的位置相比成為下層的位置處具有SiO₂層。

但是，以接近SiO₂的玻璃基板或SiO₂層的方式配置有配線。由于SiO₂的介電常數較高，因此當對配線以接近SiO₂的方式進行配置時，在配線之間容易產生寄生電容（雜散電容）。因此，無論哪種方法，都存在因配線之間的寄生電容而對MEMS元件的電特性造成不良影響的可能性。

非專利文獻1：電裝技術評論（デンソーテクニカルレビュー）Vol.5No.12000p39－p44

發明內容

本發明是為了解決上述的課題中的至少一部分而被完成的，并且能夠作為以下的方式或者應用例而實現。

應用例1

本應用例所涉及的MEMS裝置的特征在于，具備：底基板；第一配線，其使用第一結構體并被配置在底基板上；第二配線，其使用第一結構體和與第一結構體相連接的第二結構體并被配置在底基板上；MEMS元件，其上連接有第一配線和第二配線，并被配置在底基板上，并且，所述MEMS裝置具備第一配線和第二配線相互交叉的交叉部，在交叉部處，第一配線的第一結構體和第二配線的第二結構體交叉。

根據這種MEMS裝置，與MEMS元件相連接的第一配線具有第一結構體，第二配線具有第一結構體和第二結構體，并且分別被設置在底基板上。此外，具備第一配線和第二配線相交叉的交叉部，在交叉部中，第一結構體和第二結構體交叉。

由此，能夠以使被設置在底基板上的第一配線和第二配線交叉的方式進行配線，并能夠對該底基板的配線所占用的面積進行抑制，從而實現MEMS裝置的小型化。

應用例2

在上述應用例所涉及的MEMS裝置中，優選為，在底基板上設置有槽部，第一結構體被設置在槽部內。

根據這種MEMS裝置，第一結構體被設置在設置于底基板上的槽部內，第二結構體被設置在底基板上。

由此，能夠使被設置在底基板上的第二結構體在跨越且不接觸的條件下與被設置在槽部內的第一結構體交叉。

因此，能夠以具有空隙的方式使第一配線和第二配線交叉，從而能夠獲得如下的MEMS裝置，即，對因第一結構體和第二結構體交叉而產生的寄生電容進行抑制，從而對MEMS元件的電特性造成不良影響的情況較少的MEMS裝置。

應用例3

在上述應用例所涉及的MEMS裝置中，優選為，交叉部處的槽部與其他的槽部相比較深。

根據這種MEMS裝置，在加深了第一配線和第二配線相交叉的交叉部處的、槽的深度的槽部內，設置有第一結構體。

由此，能夠增加第一結構體和第二結構體交叉的部分的分開距離，從而能夠獲得如下的MEMS裝置，即，對在第一結構體與第二結構體之間產生的寄生電容進行抑制，從而對MEMS元件的電特性造成不良影響的情況較少的MEMS裝置。

應用例4

在上述應用例所涉及的MEMS裝置中，優選為，交叉部處的第二結構體的寬度與其他的所述第二結構體的寬度相比較窄。