[發(fā)明專利]容性耦合等離子體增強化學(xué)氣相沉積制備厚度均勻薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310308952.5
• 申請日: 2013-07-22
• 公開（公告）號: CN103388134A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王波;胡德志;嚴輝;張銘;王如志;宋雪梅;侯育冬;朱滿康;劉晶冰;汪浩
• 申請（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C23C16/517
• 分類號: C23C16/517
• 代理公司: 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 張慧

1.容性耦合等離子體增強化學(xué)氣相沉積制備厚度均勻的薄膜的方法，其特征在于，將射頻源與平行極板間的連接導(dǎo)線更換為較粗的連接導(dǎo)線或銅柱，即增加功率饋入端面積，從而使功率饋入端的面積大幅度增加，降低平行板電極間真空電勢差分布的非均勻度。

2.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，增加功率饋入端面積的同時，還要保證功率饋入端的形狀與平行極板的形狀一致，使平行板電極間真空電勢差分布具有良好的對稱性。

3.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，射頻源的頻率在30MHz到120MHz區(qū)間。

4.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，如果平行極板是圓形時，功率饋入端的直徑和圓形極板的直徑比在1%到5%的區(qū)間內(nèi)變化；如果平行極板是方形時，功率饋入端也應(yīng)制成方形，功率饋入端的邊長和方形極板的邊長比在0.5%到5%的區(qū)間內(nèi)變化。