[發(fā)明專(zhuān)利]一種有機(jī)發(fā)光顯示面板、像素界定層及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310308573.6
• 申請(qǐng)日: 2013-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103413819A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉威;姜春生;王東方;李延釗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板中的像素界定層，其特征在于，所述像素界定層包括：第一像素界定層和位于所述第一像素界定層上疊層設(shè)置的第二像素界定層；

其中，所述第一像素界定層為具有與各子像素單元的發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)開(kāi)口的疏水性膜層；

所述第二像素界定層為具有與所述第一像素界定層上的各開(kāi)口一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)開(kāi)口的親水性膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層，其特征在于，所述第二像素界定層上的開(kāi)口小于所述第一像素界定層上相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，使得第一像素界定層和第二像素界定層上相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)開(kāi)口形成上窄下寬的待填充有機(jī)發(fā)光材料的填充區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素界定層，其特征在于，所述上窄下寬的待填充有機(jī)發(fā)光材料的填充區(qū)域?yàn)榘疾蹱睿疾鄣娜我粋?cè)壁為表面光滑的梯形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的像素界定層，其特征在于，所述疏水性膜層為光阻膠膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的像素界定層，其特征在于，所述親水性膜層為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層，其特征在于，所述第一像素界定層的厚度為第二像素界定層厚度的3～5倍。

7.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括基板、位于所述基板上的多個(gè)呈矩陣排列的子像素單元，每一子像素單元設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管；還包括位于所述基板上覆蓋所述各薄膜晶體管的像素界定層，其特征在于，所述像素界定層為權(quán)利要求1-6任一權(quán)項(xiàng)所述的像素界定層。

8.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板中像素界定層的制作方法，其特征在于，包括：

通過(guò)鍍膜工藝依次在基板上形成分別覆蓋整個(gè)基板的疏水性膜層和親水性膜層；

根據(jù)預(yù)設(shè)像素界定層的開(kāi)口圖形對(duì)所述親水性膜層和疏水性膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成按所述開(kāi)口圖形分布的親水性膜層上的開(kāi)口和疏水性膜層上的開(kāi)口，具有多個(gè)開(kāi)口的疏水性膜層為第一像素界定層，具有多個(gè)開(kāi)口的親水性膜層為第二像素界定層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，通過(guò)鍍膜工藝形成覆蓋整個(gè)基板的疏水性膜層，具體為：

采用涂覆法在所述基板上涂覆覆蓋整個(gè)基板的設(shè)定厚度的光阻膠膜層，在150-250℃的溫度條件下對(duì)所述光阻膠膜層進(jìn)行固化。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，通過(guò)鍍膜工藝形成覆蓋整個(gè)基板的親水性膜層，具體為：

采用化學(xué)氣相沉積法在形成有所述固化后的光阻膠膜層上沉積一層覆蓋整個(gè)基板的氮化硅、氧化硅或氮氧化硅膜層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述光阻膠膜層為正性光阻膠膜層，形成按所述開(kāi)口圖形分布的親水性膜層上的開(kāi)口和疏水性膜層上的開(kāi)口，具體為：

在形成有所述氮化硅、氧化硅或氮氧化硅膜層之后，形成位于所述氮化硅、氧化硅或氮氧化硅膜層上的一層覆蓋整個(gè)基板的正性光刻膠膜層；

根據(jù)預(yù)設(shè)像素界定層的開(kāi)口圖形，同時(shí)對(duì)所述開(kāi)口圖形對(duì)應(yīng)的光刻膠膜層和光阻膠膜層進(jìn)行時(shí)間為5000-7000毫秒曝光，光刻膠膜層和光阻膠膜層的曝光區(qū)域的任一側(cè)壁為上窄下寬的梯度狀；

對(duì)所述光刻膠膜層進(jìn)行顯影，去除與所述開(kāi)口區(qū)域相對(duì)應(yīng)的光刻膠露出位于光刻膠下方的所述氮化硅、氧化硅或氮氧化硅膜層；

采用干法刻蝕對(duì)所述露出的氮化硅、氧化硅或氮氧化硅膜層進(jìn)行刻蝕，形成與所述光刻膠的開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，露出位于氮化硅、氧化硅或氮氧化硅膜層下方的所述光阻膠膜層；

對(duì)所述光阻膠膜層進(jìn)行顯影，去除曝光區(qū)域的光阻膠，形成所述光阻膠膜層上的開(kāi)口；

對(duì)所述氮化硅、氧化硅或氮氧化硅膜層上剩余的光刻膠進(jìn)行剝離。