[發(fā)明專利]一種化學(xué)氣相沉積方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310308530.8 | 申請日: | 2013-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN103343332A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 戴煜;胡祥龍;胡高健 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南頂立科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波 |
| 地址: | 410118 湖南省長沙市長*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 化學(xué) 沉積 方法 | ||
1.一種化學(xué)氣相沉積方法,以化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)進行化學(xué)氣相沉積,其特征在于,所述化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)包括:
化學(xué)氣相沉積室,所述化學(xué)氣相沉積室內(nèi)設(shè)有發(fā)熱體(11)、隔熱屏(3)和與所述化學(xué)氣相沉積室連通,且分散安裝的多個噴嘴系統(tǒng);
真空系統(tǒng),所述真空系統(tǒng)具有與多個所述噴嘴系統(tǒng)連通的真空管路,所述真空管路上設(shè)有真空開關(guān)閥;
化學(xué)沉積氣路系統(tǒng),所述化學(xué)沉積氣路系統(tǒng)具有與多個所述噴嘴系統(tǒng)連通的充氣管路,所述充氣管路上設(shè)有充氣開關(guān)閥。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,所述真空系統(tǒng)包括:
真空機組(10);
與所述真空機組(10)的輸出口連通的所述真空管路,所述真空管路為相并聯(lián)的多個,且所述真空管路與所述噴嘴系統(tǒng)一一對應(yīng)連通。
3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,所述真空系統(tǒng)還包括焦油尾氣處理系統(tǒng)(9),所述真空機組(10)的輸出口與所述焦油尾氣處理系統(tǒng)(9)的輸入口連通,所述焦油尾氣處理系統(tǒng)(9)的輸出口與所述真空管路連通。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,所述化學(xué)沉積氣路系統(tǒng)包括:
氣體配氣屏(6);
與所述氣體配氣屏(6)的輸出口連通的所述充氣管路,所述充氣管路為相并聯(lián)的多個,且所述充氣管路與所述噴嘴系統(tǒng)一一對應(yīng)連通。
5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,所述噴嘴系統(tǒng)包括:
氣體分配箱(1),所述真空管路和所述充氣管路與所述氣體分配箱(1)連通;
與所述氣體分配箱(1)連通的多個氣體噴嘴(2)。
6.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,所述氣體噴嘴(2)為方形喇叭結(jié)構(gòu)或圓形喇叭結(jié)構(gòu),且面積較大的一端與所述氣體分配箱(1)連接。
7.如權(quán)利要求1-4任一項所述的化學(xué)氣相沉積方法,其特征在于,所述化學(xué)氣相沉積室的內(nèi)壁的任意位置均安裝有所述發(fā)熱體(11)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





