[發(fā)明專(zhuān)利]一種DSP器件單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310308504.5
• 申請(qǐng)日: 2013-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103440185A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江桂芳;張大宇;龔科;王健
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安空間無(wú)線電技術(shù)研究所
• 主分類(lèi)號(hào): G06F11/22
• 分類(lèi)號(hào): G06F11/22
• 代理公司: 中國(guó)航天科技專(zhuān)利中心 11009
• 代理人: 臧春喜

1.一種DSP器件單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于步驟如下：?

（1）建立由上位機(jī)、路由器、電源模塊、FPGA板、DSP器件子板組成的檢測(cè)系統(tǒng)，其中FPGA板和DSP器件子板置于真空罐內(nèi)，電源模塊置于真空罐外上為FPGA板和DSP器件供電，上位機(jī)通過(guò)路由器與FPGA板和電源相連接用于實(shí)時(shí)監(jiān)視單粒子翻轉(zhuǎn)試驗(yàn)結(jié)果；?

（2）FPGA板通過(guò)接口與DSP器件通信用于對(duì)DSP器件進(jìn)行控制，同時(shí)獲取DSP器件內(nèi)部各模塊單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)試驗(yàn)的檢測(cè)數(shù)據(jù)，DSP器件配有SRAM芯片用于運(yùn)行DSP程序，F(xiàn)PGA器件配有FLASH芯片用于存儲(chǔ)FPGA程序，F(xiàn)PGA板配有SRAM芯片用于存儲(chǔ)單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)試驗(yàn)的檢測(cè)數(shù)據(jù)；?

（3）依次采用四個(gè)測(cè)試用例對(duì)DSP器件進(jìn)行內(nèi)部RAM、寄存器和HPI接口單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)、對(duì)DSP器件進(jìn)行內(nèi)部RAM、EMIF接口和串口單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)、對(duì)DSP器件進(jìn)行CPU模塊單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)、對(duì)DSP器件進(jìn)行PLL模塊單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)；?

（4）完成DSP器件單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DSP器件單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)方法，其特征在于：所述采用測(cè)試用例對(duì)DSP器件進(jìn)行內(nèi)部RAM、寄存器和HPI接口進(jìn)行單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)檢測(cè)的實(shí)現(xiàn)方法為：?

（1）FPGA將DSP器件設(shè)置為HPI工作狀態(tài)和片內(nèi)工作模式；?

（2）FPGA通過(guò)DSP器件HPI接口向DSP器件內(nèi)部程序RAM區(qū)、數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器寫(xiě)入固定向量；?

（3）FPGA通過(guò)DSP器件HPI接口依次讀取DSP器件內(nèi)部程序RAM區(qū)、內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器中的數(shù)據(jù)，并順序存儲(chǔ)在FPGA器件片外的?SRAM芯片中；?

（4）開(kāi)始對(duì)被檢測(cè)DSP器件進(jìn)行單粒子輻照；?

（5）FPGA再次通過(guò)DSP器件HPI接口依次讀取內(nèi)部程序RAM區(qū)、內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器中的數(shù)據(jù)，并連續(xù)3次讀取同一位置的數(shù)據(jù)；?

（6）FPGA檢測(cè)DSP器件HPI接口在設(shè)定時(shí)間內(nèi)READY信號(hào)是否準(zhǔn)備好，如果READY信號(hào)準(zhǔn)備好，F(xiàn)PGA通過(guò)HPI接口讀取出DSP器件輸出的數(shù)據(jù)，執(zhí)行步驟（7），如果READY信號(hào)沒(méi)有準(zhǔn)備好則進(jìn)入步驟（10）；?

（7）FPGA對(duì)片外SRAM芯片里存儲(chǔ)的輻照前后的內(nèi)部程序RAM區(qū)、內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，如果輻照前后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)均相等，則DSP器件中內(nèi)部程序RAM區(qū)、數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器未發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，返回步驟（5），否則執(zhí)行步驟（8）；?

（8）FPGA對(duì)片外SRAM芯片里存儲(chǔ)的輻照前后的內(nèi)部程序RAM區(qū)、內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷輻照前后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)中是否有兩個(gè)數(shù)據(jù)相等，如果輻照前后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)中有兩個(gè)數(shù)據(jù)相等，則判定HPI接口發(fā)生一次單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，返回步驟（5），否則執(zhí)行步驟（9）；?

（9）FPGA對(duì)片外SRAM芯片里存儲(chǔ)的輻照前后的內(nèi)部程序RAM區(qū)、內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷輻照前后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)中是否有一個(gè)數(shù)據(jù)相等，如果輻照前后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)中有一個(gè)數(shù)據(jù)相等，則判定HPI接口發(fā)生一次單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，內(nèi)部RAM程序區(qū)或內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，返回步驟（5），否則判定內(nèi)部程序RAM區(qū)、內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)和內(nèi)部通用寄存器均發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，執(zhí)行步驟（10）?

（10）停止輻照，檢測(cè)結(jié)束。?