[發(fā)明專利]微硅麥克風(fēng)及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310307946.8 | 申請日: | 2013-07-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103402161A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫愷;胡維;李剛 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R19/04 | 分類號(hào): | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215006 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 麥克風(fēng) 及其 制作方法 | ||
1.一種微硅麥克風(fēng),包括具有正面和背面的襯底、貫通所述襯底的背腔、設(shè)置在襯底的正面且作為硅麥克風(fēng)兩極板的背板和振動(dòng)體、以及形成在所述背板和振動(dòng)體之間的振動(dòng)空間,其特征在于:所述背板通過窄槽將其分割形成中心部和圍設(shè)在所述中心部外圍的外圍部,所述中心部和外圍部上設(shè)置有若干聲孔,所述中心部和外圍部通過絕緣連接部連接,所述微硅麥克風(fēng)還包括分別與所述背板的中心部和外圍部電性連接的第一信號(hào)部和第二信號(hào)部、以及與振動(dòng)體電性連接的第三信號(hào)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微硅麥克風(fēng),其特征在于:所述微硅麥克風(fēng)還包括設(shè)置在所述振動(dòng)體與背板之間的防粘著凸點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微硅麥克風(fēng),其特征在于:所述振動(dòng)體位于所述背板的上方,所述防粘著凸點(diǎn)自所述振動(dòng)體的底部朝背板突伸形成,且與聲孔交錯(cuò)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微硅麥克風(fēng),其特征在于:所述振動(dòng)體上開設(shè)有使所述振動(dòng)空間與外部連通的阻尼孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微硅麥克風(fēng),其特征在于:所述背板包括第一導(dǎo)電層、位于第一導(dǎo)電層上方的絕緣層、位于所述絕緣層上方的第二導(dǎo)電層,所述窄槽形成在所述第二導(dǎo)電層或/和第一導(dǎo)電層上,所述絕緣層形成所述絕緣連接部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微硅麥克風(fēng),其特征在于:所述背板包括絕緣層和位于所述絕緣層上方的導(dǎo)電層,所述窄槽形成在所述導(dǎo)電層上,所述絕緣層形成所述絕緣連接部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微硅麥克風(fēng),其特征在于:所述中心部呈圓形,所述外圍部呈環(huán)形。
8.一種微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:所述制作方法包括如下步驟:
S1:提供具有正面和背面的襯底;
S2:在所述襯底的正面淀積絕緣材料以形成第一絕緣層;
S3:在所述第一絕緣層上形成背板;?
S4:在所述背板上形成若干聲孔,在所述背板上形成窄槽以由所述窄槽將背板分隔形成中心部和圍設(shè)在中心部外圍的外圍部,所述中心部和外圍部上均形成有聲孔,所述背極板具有用以連接所述中心部和外圍部的絕緣連接部;
S5:在所述背板上形成第二絕緣層;
S6:在所述第二絕緣層上形成振動(dòng)體;
S7:形成分別與背板的中心部、外圍部電性連接的第一信號(hào)部和第二信號(hào)部,形成與振動(dòng)體電性連接的第三信號(hào)部;
S8:于所述襯底上形成貫通所述襯底的背腔;以及,
S9:去除位于背腔上方的第一氧化層以露出背板,去除部分位于背板和振動(dòng)體之間的第二氧化層以形成振動(dòng)空間,且未去除的第一氧化層和第二氧化層分別形成用以支撐背板的第一支撐部和用以支撐振動(dòng)體的第二支撐部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:所述背板包括形成中心部和外圍部的導(dǎo)電層、以及形成連接部且位于所述導(dǎo)電層下方的的絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:在所述步驟S3中,在第一絕緣層上淀積多晶硅-氧化硅-多晶硅復(fù)合材料以形成復(fù)合層,所述復(fù)合層由下至上依次包括第一多晶硅層、氮化硅層和第二多晶硅層,在所述步驟S4中,所述窄槽形成在第一多晶硅層或/和第二多晶硅層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:在所述步驟S3中,在第一絕緣層上淀積氧化硅-多晶硅復(fù)合材料以形成復(fù)合層,所述復(fù)合層由下至上依次包括氮化硅層和多晶硅層,在所述步驟S4中,所述窄槽形成在多晶硅層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:所述窄槽通過光刻刻蝕工藝形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:所述步驟S5還包括如下步驟,在所述第二絕緣層上內(nèi)凹形成若干凹槽,所述步驟S6還包括:在形成所述振動(dòng)體的同時(shí),于凹槽內(nèi)淀積形成防粘著凸點(diǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:所述防粘著凸點(diǎn)與聲孔錯(cuò)位設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:所述中心部呈圓形,所述外圍部呈環(huán)形。
16.一種微型麥克風(fēng)的制作方法,其特征在于:所述制作方法包括如下步驟:
S1:提供具有正面和背面的襯底;
S2:在所述襯底的正面淀積絕緣材料以形成第一絕緣層;
S3:在所述第一絕緣層上形成振動(dòng)體;
S4:在所述振動(dòng)體上形成第二絕緣層;
S5:在所述第二絕緣層上形成背板;?
S6:在所述背板上形成若干聲孔,在所述背板上刻蝕形成窄槽以由所述窄槽將背板分隔形成中心部和圍設(shè)在中心部外圍的外圍部,所述中心部和外圍部上均形成有聲孔,所述背極板具有用以連接所述中心部和外圍部的絕緣連接部;
S7:形成分別與背板的中心部、外圍部電性連接的第一信號(hào)部和第二信號(hào)部,形成與振動(dòng)體電性連接的第三信號(hào)部;
S8:于所述襯底上形成貫通所述襯底的背腔;以及,
S9:去除位于背腔上方的第一氧化層以露出振動(dòng)體,去除部分位于振動(dòng)體和背板之間的第二氧化層以形成振動(dòng)空間,且未去除的第一氧化層和第二氧化層分別形成用以支撐背板的第一支撐部和用以支撐振動(dòng)體的第二支撐部。
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