[發明專利]一種多晶硅及其制備方法

無效

• 申請號: 201310307898.2
• 申請日: 2013-07-22
• 公開（公告）號: CN103422165A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 譚曉松;段金剛
• 申請（專利權）人: 湖南紅太陽光電科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強

1.一種多晶硅的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

（1）將摻有電活性摻雜劑的硅料裝入石英坩堝內，把石英坩堝裝入鑄錠爐的隔熱籠內；

（2）控制鑄錠爐加熱器的溫度為1535—1565℃，使硅料完全熔化，當硅料熔化完全時，控制石英坩堝內底部的溫度為1380—1420℃；?

（3）以150—200℃/h的降溫速度使鑄錠爐加熱器的溫度降至1425—1440℃后保溫30—90min；

（4）以6—8mm/min的速度提升鑄錠爐中的隔熱籠，使隔熱籠底部與鑄錠爐下爐腔底部保溫層之間的距離為6—8cm，使硅料在石英坩堝底部內面的石英砂表面形核結晶，形成形核源層后進入長晶期；在長晶初期，控制鑄錠爐加熱器的溫度為1425—1440℃，控制隔熱籠提升速度為3—5mm/h；在長晶中后期，以1—2℃/h的降溫速度使鑄錠爐加熱器降溫，同時控制隔熱籠提升速度為6—10mm/h；

（5）將經過上述步驟處理后硅料上長出的晶體再經退火、冷卻后即得多晶硅。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（1）中所述摻有電活性摻雜劑的硅料的目標電阻率為1—2Ω·cm。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟（1）中所述的電活性摻雜劑為硼。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（1）中所述摻有電活性摻雜劑的硅料的裝入量為790-850kg。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（1）所述的石英坩堝底部內表面為粗糙面且噴涂有高純石英砂。