[發(fā)明專(zhuān)利]一種埋容材料、制備方法及其用途

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310307512.8
• 申請(qǐng)日: 2013-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103402311A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷衛(wèi)峰;劉潛發(fā);蘇民社;顏善銀;許永靜;張江陵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣東生益科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05K1/16
• 分類(lèi)號(hào): H05K1/16;H01G4/06
• 代理公司: 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種埋容材料，其特征在于，所述埋容材料由薄膜層及其上下兩側(cè)的金屬箔組成，所述薄膜層由含有陶瓷填料和導(dǎo)熱填料的樹(shù)脂組合物形成。

2.如權(quán)利要求1所述的埋容材料，其特征在于，所述樹(shù)脂組合物中的樹(shù)脂選自環(huán)氧樹(shù)脂、氰酸脂樹(shù)脂、聚苯醚樹(shù)脂、聚丁二烯樹(shù)脂、丁苯樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺-三嗪樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺樹(shù)脂、聚四氟乙烯樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、液晶樹(shù)脂、苯并惡嗪樹(shù)脂、酚氧樹(shù)脂、丁腈橡膠、端羧基丁腈橡膠或端羥基丁腈橡膠中的任意一種或者至少兩種的混合物。

3.如權(quán)利要求1或2所述的埋容材料，其特征在于，所述陶瓷填料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鈣鈦酸鋇、鈦酸鋯鉛陶瓷或鈦酸鉛-鈮鎂酸鉛中的任意一種或者至少兩種的混合物；

優(yōu)選地，所述陶瓷填料的粒徑中度值為10～1500nm，優(yōu)選100～800nm，進(jìn)一步優(yōu)選200～700nm；

優(yōu)選地，所述陶瓷填料的體積百分率為15%～50%，優(yōu)選20%～45%，進(jìn)一步優(yōu)選30%～40%。

4.如權(quán)利要求1-3之一所述的埋容材料，其特征在于，所述樹(shù)脂組合物還含有導(dǎo)電粉體，所述導(dǎo)電粉體選自金屬、過(guò)渡金屬合金、碳黑、碳纖維或碳納米管中的任意一種或者至少兩種的混合物，其中過(guò)渡金屬選自Cu、Ni、Ag、Al、Zn、Co、Fe、Cr或Mn。

5.如權(quán)利要求4所述的埋容材料，其特征在于，所述導(dǎo)電粉體表面用陶瓷填料包覆，所述包覆的陶瓷填料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鈣鈦酸鋇、鈦酸鋯鉛陶瓷、鈦酸鉛-鈮鎂酸鉛中的任意一種或者至少兩種的混合物；

優(yōu)選地，導(dǎo)電粉體的粒徑中度值為30～700nm，優(yōu)選100～500nm；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電粉體的體積百分率為15%～50%，優(yōu)選20%～45%，進(jìn)一步優(yōu)選30%～40%。

6.如權(quán)利要求1-5之一所述的埋容材料，其特征在于，所述導(dǎo)熱填料選自氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈹、碳化硅或碳化硼中的任意一種或者至少兩種的混合物；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱填料的體積百分率為10～50%，優(yōu)選20～40%；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱填料的粒徑中度值為0.01～1.5μm；

優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱填料的表面經(jīng)過(guò)處理。

7.如權(quán)利要求1-6之一所述的埋容材料，其特征在于，所述薄膜層的厚度為5～50μm，優(yōu)選7～30μm，進(jìn)一步優(yōu)選8～10μm。

8.如權(quán)利要求1-7之一所述的埋容材料，其特征在于，所述金屬箔為銅、黃銅、鋁、鎳、銅合金、黃銅合金、鋁合金或鎳合金中的任意一種或者至少兩種的組合，所述金屬箔的厚度為5～150μm。

9.一種如權(quán)利要求1-8之一所述的埋容材料的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

（1）將形成薄膜層的樹(shù)脂組合物制備成膠液，在離型膜上涂覆上述膠液，經(jīng)烘干后去掉溶劑，從離型膜上分離下來(lái)，得到薄膜層；

（2）將一張上述制成的薄膜層放在兩張金屬箔中間，然后放進(jìn)層壓機(jī)中通過(guò)熱壓固化制得埋容材料。

10.一種如權(quán)利要求1-8之一所述的埋容材料的用途，其特征在于，所述埋容材料用于印制電路板。