[發明專利]一種離子液體中痕量H2O的檢測方法有效
| 申請號： | 201310307370.5 | 申請日： | 2013-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN103376283A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 潘革波;肖燕 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | G01N27/26 | 分類號： | G01N27/26;G01N27/414 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 離子 液體 痕量 sub 檢測 方法 | ||
1.一種離子液體中痕量H2O的檢測方法，其特征在于，包括：
a）提供一場效應晶體管傳感器，該傳感器包括N型半導體的有源層，有源層材料與待檢測的離子液體互不溶；
b）將待檢測的離子液體滴加到所述的有源層表面，觀察傳感器電學參數的變化，如果電學參數改變，則離子液體中含有痕量H2O，否則無痕量H2O。
2.根據權利要求1所述的離子液體中痕量H2O的檢測方法，其特征在于：所述的場效應晶體管傳感器結構為底柵-底接觸型或底柵-頂接觸型。
3.根據權利要求1所述的離子液體中痕量H2O的檢測方法，其特征在于：所述的有源層的厚度為10～50nm。
4.根據權利要求1所述的離子液體中痕量H2O的檢測方法，其特征在于：所述的傳感器還包括源極和漏極，所述的源極和漏極的材料為Au。
5.根據權利要求1所述的離子液體中痕量H2O的檢測方法，其特征在于：所述的電學參數包括閾值電壓、開關電流或遷移率特性。
6.一種離子液體中痕量H2O的含量的檢測方法，其特征在于，包括：
a）提供一場效應晶體管傳感器，該傳感器包括N型半導體的有源層，有源層材料與檢測的離子液體互不溶；
b）測量定量為A的離子液體中痕量H2O的含量，并將定量為A的離子液體滴加到所述的有源層表面，測量傳感器電學參數，建立痕量H2O的含量與電學參數對應的數據庫；
c）將定量為A的待測離子液體滴加到所述的有源層表面，測量傳感器電學參數，對照所述的數據庫，獲得痕量H2O的含量。
7.根據權利要求6所述的離子液體中痕量H2O的含量的檢測方法，其特征在于：所述的場效應晶體管傳感器結構為底柵-底接觸型或底柵-頂接觸型。
8.根據權利要求6所述的離子液體中痕量H2O的含量的檢測方法，其特征在于：所述的有源層的厚度為10～50nm。
9.根據權利要求6所述的離子液體中痕量H2O的含量的檢測方法，其特征在于：所述的傳感器還包括源極和漏極，所述的源極和漏極的材料為Au。
10.根據權利要求6所述的離子液體中痕量H2O的含量的檢測方法，其特征在于：所述的電學參數包括閾值電壓、開關電流或遷移率特性。
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