[發明專利]頻率可調的MEMS諧振器有效
| 申請號： | 201310306960.6 | 申請日： | 2013-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN103338022A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發明（設計）人： | 駱偉;趙暉;袁泉;楊晉玲;楊富華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H03H9/24 | 分類號： | H03H9/24;H03H9/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 頻率 可調 mems 諧振器 | ||
【權利要求書】：
1.一種頻率可調的MEMS諧振器，包括：
一諧振單元，為圓盤形、圓環形或對稱多邊形結構，其中心為振動位移節點，該諧振單元由一位于位移節點處的支撐錨點支撐，該諧振單元的表面設有多個微結構；
多個電極，其位于諧振單元的外圍或上方，各電極之間有一間隙，各電極與諧振單元之間直接接觸或有一間隙。
2.根據權利要求1所述的頻率可調的MEMS諧振器，其中諧振單元的材料為硅基材料、壓電材料或藍寶石。
3.根據權利要求1所述的頻率可調的MEMS諧振器，其中諧振單元上的微結構沿諧振單元的等半徑圓周均勻分布。
4.根據權利要求3所述的頻率可調的MEMS諧振器，其中諧振單元上的微結構是小孔或齒狀結構，通過改變微結構與驅動電極的相對位置，以激勵不同的諧振模態，從而獲得不同的頻率輸出，改變微結構的個數、形狀大小以及在諧振單元中的位置，從而獲得不同的頻率調節范圍。
5.根據權利要求1所述的頻率可調的MEMS諧振器，其中電極材料為金屬或導電摻雜硅。
6.根據權利要求5所述的頻率可調的MEMS諧振器，其中電極和諧振單元之間的間隙是空氣填充或固態介質填充或空氣和固態介質共同填充。
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