[發明專利]一種等離子體刻蝕工藝中刻蝕產額的建模方法

有效

• 申請號: 201310306649.1
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN103440361A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 宋亦旭;高揚福;孫曉民
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 廖元秋

1.一種等離子體刻蝕表面演化仿真中刻蝕產額的建模方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：1）設置刻蝕產額模型參數的取值范圍，設計不同時間不同參數的刻蝕加工工藝，利用掃描電鏡分析剖面圖片，或者針對給定的加工剖面，利用刻蝕剖面演化算法對中間過程仿真，獲得寬度不同的p組不同刻蝕時間不同剖面位置點的實際刻蝕速率V_r；

2）選擇刻蝕產額模型參數的優化算法及設置該優化算法的初始參數，設置優化算法的最大執行次數N_max及優化算法的精度eps，以及溝槽表面預先選定的位置入射離子的初始參數；

3）根據優化算法的要求和刻蝕產額模型參數的取值范圍，生成由N_pop組模型參數組成的初始模型參數集，以及優化算法的精英種群及初始向量：

4）利用刻蝕產額與刻蝕速率的關系計算刻蝕產額模型參數集中每組模型參數的適應值；

5）根據每組模型參數的適應值，利用優化算法搜索形成下一步模型參數集；

6）重復執行步驟4)-5),直到達到最大執行次數N_max或滿足指定的精度eps后的模型參數集作為優化模型參數集；

7）從優化模型參數集選出最優的模型參數并輸出，代入刻蝕產額模型參數化表示公式中，即得到刻蝕產額的模型。

2.如權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟4）具體包括：

4.1）把模型參數集中每組參數和刻蝕溝槽表面特定位置入射離子的初始參數作為輸入，利用刻蝕產額與刻蝕速率的關系，計算得到這些特定位置入射離子的刻蝕速率V_s；

4.2）對于寬度不同的p組溝槽，第k組溝槽按照公式（1）計算模擬刻蝕速率V_s相對于實際刻蝕速率V_r的誤差，如下：

Ek=Σi=1nΣj=1mw(i,j)(Vrij-Vsij)2---(1)]]>

式中：n表示第k組溝槽演化過程中不同的剖面數量，m表示第k組溝槽演化過程中每個剖面預先選定位置的數量，V_rij指的是第k組溝槽第i個剖面第j個位置點實際刻蝕速率，V_sij指的是第k組溝槽第i個剖面第j個位置點模擬刻蝕速率，w(i,j)表示第k組溝槽第i個剖面第j個位置點模擬刻蝕速率與實際刻蝕速率的均方差對整體誤差的影響程度；

4.3）利用4.2），得到該組模型參數的適應值F＝(1/E₁,1/E₂,...,1/E_p)；

4.4）重復執行4.1）-4.3），計算模型參數集中每組參數的適應值。