[發明專利]一種高光效發光二極管的制作方法在審
| 申請號： | 201310306402.X | 申請日： | 2013-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN104332532A | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發明（設計）人： | 傅春昕;丁偉;畢瑞祥 | 申請（專利權）人： | 北方工業大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100144 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高光效 發光二極管 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高光效發光二極管的制作方法，包括如下步驟：?
步驟1：采用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)的方法，在半導體襯底1上依次生長低溫GaN緩沖層2、不摻雜GaN層3、N-GaN層4、多量子阱發光層5和P-GaN層6，形成GaN外延片；?
步驟2：將GaN外延片的一側進行刻蝕，形成臺面41；?
步驟3：在GaN外延片的上表面蒸鍍第一層ITO薄膜7，在退火爐中對第一層ITO薄膜7退火；?
步驟4：在退火后的第一層ITO薄膜7上蒸鍍第二層ITO薄膜8，不進行退火；?
步驟5：對第一層ITO薄膜7和第二層ITO薄膜8進行光刻和腐蝕工藝，在P型臺面上形成ITO透明電極；?
步驟6：在第二層ITO薄膜8上制作P電極，在臺面41上制作N電極，完成器件制備。?
2.根據權利要求1所述的一種高光效發光二極管的制作方法，其中所述半導體襯底1為藍寶石、硅、碳化硅或金屬。?
3.根據權利要求1所述的一種高光效發光二極管的制作方法，其中第一層ITO薄膜7的厚度為第二層ITO薄膜8的厚度為。
4.根據權利要求1所述的一種高光效發光二極管的制作方法，其中臺面41的刻蝕深度到達N-GaN層4內。?
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