[發(fā)明專利]肖特基勢(shì)壘二極管

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310306272.X
• 申請(qǐng)日: 2009-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN103441140A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 堀井拓;宮崎富仁;木山誠(chéng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/47
• 分類號(hào): H01L29/47;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/20
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種肖特基勢(shì)壘二極管，包括：

GaN層（3），和

肖特基電極（4），所述肖特基電極（4）形成在所述GaN層（3）上，其中，

使與所述肖特基電極（4）相接觸的所述GaN層（3）的區(qū)域（3c）的位錯(cuò)密度為1×10⁸cm^-2或更小以減小反向泄漏電流，

通過使所述肖特基電極（4）中與所述GaN層（3）相接觸的部分由Ni或Ni合金構(gòu)成來增加勢(shì)壘高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘二極管，其中，所述勢(shì)壘高度為0.83eV或更大且1.20eV或更小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘二極管，其中，

所述GaN層（3）形成在支撐襯底（23）上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的肖特基勢(shì)壘二極管，其中，所述支撐襯底（23）由金屬構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘二極管，其中，

所述GaN層（3）是使用位錯(cuò)密度為1×10⁸cm^-2或更小的GaN襯底制成的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘二極管，其中，所述肖特基電極（4）是通過對(duì)形成在所述GaN層（3）上的金屬層進(jìn)行熱處理而形成的，所述金屬層由Ni或Ni合金制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基勢(shì)壘二極管，進(jìn)一步包括：

絕緣層（17），所述絕緣層（17）形成在所述GaN層（3）上并且具有其中形成有所述肖特基電極（4）的開口；以及

場(chǎng)板電極（16），所述場(chǎng)板電極（16）形成為與所述肖特基電極（4）相連接并且與所述絕緣層（17）重疊。