[發明專利]VDMOS及其制造方法

有效

• 申請號: 201310306193.9
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN104299908B
• 公開（公告）日: 2017-04-19
• 發明（設計）人: 馬萬里
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 孟金喆

1.一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管VDMOS的制造方法，包括在襯底上形成氧化層、各P+區域、N-區域、柵氧化層和柵極的流程，其特征在于，還包括：

在襯底上對應有源區中P+區的位置上方形成保護層，其中，所述保護層位于所述柵極和所述有源區中P+區之間；

在襯底上對應有源區中P+區的位置上方形成保護層包括：

在襯底上形成氧化層，并通過構圖工藝對所述氧化層進行刻蝕，在所述有源區中P+區的位置上方保留氧化層，作為所述保護層；

在襯底上形成氧化層、各P+區域、N-區域、柵氧化層和柵極的流程包括：

在所述襯底上形成氧化層，采用光刻膠構圖工藝刻蝕所述氧化層，以形成具有第一厚度和第二厚度的氧化層，所述第一厚度的位置對應于待形成P+區域的位置，剩余的氧化層具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度；

在所述襯底上注入P+離子，以在待形成P+區域的位置形成各P+區域，所述各P+區域至少包括有源區中P+區；

去除剩余的光刻膠；

采用光刻膠構圖工藝對所述氧化層進行刻蝕，以露出對應于N-區域的元胞區，且保留所述有源區中P+區上方的氧化層和光刻膠，所述有源區中P+區上方的氧化層作為所述保護層；

在所述襯底上注入N-離子，以在所述元胞區形成N-區域；

去除剩余的光刻膠；

在所述襯底上生長柵氧化層；

在所述襯底上形成柵極膜層，并采用光刻膠構圖工藝形成柵極的圖案。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述柵極的材料為多晶硅。

3.一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體晶體管VDMOS，包括襯底、氧化層、各P+區域、N-區域、柵氧化層和柵極，其特征在于，還包括：形成在有源區中P+區與柵極之間的保護層；其中保護層的形成過程為：在襯底上形成氧化層，并通過構圖工藝對所述氧化層進行刻蝕，以形成具有第一厚度和第二厚度的氧化層，所述第一厚度的位置對應于待形成P+區域的位置，剩余的氧化層具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度；在所述襯底上注入P+離子，以在待形成P+區域的位置形成各P+區域，所述各P+區域至少包括有源區中P+區；去除剩余的光刻膠；采用光刻膠構圖工藝對所述氧化層進行刻蝕，以露出對應于N-區域的元胞區，且保留所述有源區中P+區上方的氧化層和光刻膠，所述有源區中P+區上方的氧化層作為所述保護層。