[發明專利]槽式多晶硅表面織構化的研究

無效

• 申請號: 201310305755.8
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN104300034A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 劉漢清
• 申請（專利權）人: 北京中科信電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及太陽能電池制造技術領域，主要運用于多晶硅槽式制絨，即保證了制絨效果，又維持了減重的穩定性。

背景技術

在多晶硅大規模生產過程中，以硝酸和氫氟酸腐蝕體系制作絨面對降低生產成本，提高電池轉換效率具有重要作用。制絨的目的主要有三個：(1)去除硅片表面的機械損傷層；(2)清楚硅片表面油污和金屬雜質；(3)形成起伏不平的絨面，降低表面反射率，增大PN結表面積，提高短流電流，最終提高電池轉換效率。在規?；a中，隨著溶液的消耗，溶液濃度隨之發生變化，如何配液、補液從而保證溶液的穩定性是實際生產中需要考慮的一個重要問題。而本研究能夠有效解決以上問題，保證制絨減重的穩定性，進一步提高電池成品的合格率。

研究內容

1、為了研究硝酸對制絨效果的影響，保證氫氟酸濃度配比不變，隨著硝酸濃度的不斷增大，觀察制絨后的硅片絨面效果。由正常的暗灰色逐漸變亮，面顆粒的均勻性有所降低，制絨黑線數量逐漸減少。

2、為了研究氫氟酸對制絨效果的影響，保證硝酸濃度配比不變，隨著氫氟酸濃度的不斷增大，觀察制絨后的硅片絨面效果。隨著HF濃度的增加，縱向符石加深，硅片表面黑線數量明顯增多。

3、采用低濃度溶液配比V_HN03∶V_HF∶V_H20＝156∶48∶110＝3.25∶1∶2.3進行制絨，對此硅片進行多次短時間制絨，結果如圖1所示。

本研究通過以下技術方案實現：

1.對硅片進行多次短時間制絨，進行減重跟蹤。

2.溶液配比V_HN03∶V_HF∶V_H20＝156∶48∶110＝3.25∶1∶2.3。

3.采用控制單一變量法。

本研究具有如下顯著優點：

1.對比出了硝酸、氫氟酸在制絨過程中的獨立影響。

2.提供了一種低濃度的制絨液配比，降低了生產成本。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施例對本研究作進一步介紹，但不作為對本發明專利的限定。

圖1是制絨減重隨制絨時間的變化

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的介紹，但是不作為對本研究的限定。

如附圖1所示，從數據中可以看出，在最初的15s內，硅片腐蝕速率較大，隨著腐蝕的進行，腐蝕速率變慢，在最后的45秒內，腐蝕速率基本恒定。主要是由于原始硅片經過線切割后會在表面形成存在機械損傷層。機損傷層的存在會造成硅片表面存在各種缺陷，表面原子的能量較高，反應較容易進行，腐蝕速率較大。隨著腐蝕的進行，機械損傷層的厚度越來越薄，而且由于表面的腐蝕，整個硅片的表面會出現凸凹不平的腐蝕坑，這在一定程度上降低了機械損傷層對腐蝕速率的影響，使整個硅片表面特征趨于一致化，所以反應速度會有所降低。當硅片經過8次腐蝕后，損傷層已經完全腐蝕殆盡，整個硅片表面情況基本完全相同，故腐蝕速率不再發生變化。

本研究專利的特定實施例已對本研究專利的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本研究專利精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本研究專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。