[發明專利]一種MEMS檢測裝置及其制造工藝有效
| 申請號: | 201310304674.6 | 申請日: | 2013-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN104296784B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發明(設計)人: | 于連忠;孫晨 | 申請(專利權)人: | 中國科學院地質與地球物理研究所 |
| 主分類號: | G01D3/08 | 分類號: | G01D3/08;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識產權代理有限公司11137 | 代理人: | 林建軍 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mems 檢測 裝置 及其 制造 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及傳感器領域,尤其涉及一種MEMS檢測裝置及其制造工藝。
背景技術
現今,微電子機械系統(MEMS)技術不斷進步,許多納米級的小型檢測裝置已經被商業化廣泛應用,例如MEMS加速度計以及MEMS的陀螺儀。通常MEMS的檢測裝置包括有固定部件及活動部件,并通過檢測活動部件的位移來計算MEMS檢測裝置所受到的外力。
在外力幅度比較大的時候,活動部件也會有很大的位移,使局部應力超出材料的斷裂極限值,導致結構損壞,器件報廢。為了保護MEMS器件,抗沖擊結構成為必須擁有的附加功能,它的作用是限制活動結構的過載位移,另外能有效吸收瞬時沖擊能量,從而使MEMS結構處于安全工作狀態下。
為此,MEMS檢測裝置上會設置有過載保護裝置,例如美國專利號US4882933所公開的帶有過載保護的加速度計,其在自由活動的質量塊的邊緣設置有多個外延凸起,并在框架上設置有相應的凹槽。當該加速度計受到超出負荷的外力時,外延凸起會與凹槽相接觸,從而防止質量塊進一步的位移。然而,這種設計僅限于設置在質量塊或框架的邊緣,在設計上有很大的局限性。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于克服上述現有技術之不足,提供一種能對MEMS裝置進行過載保護,并且在設計上局限性比較小的MEMS檢測裝置。
按照本發明所提供的一種MEMS檢測裝置,包括:測量體以及與所述測量體相連接的蓋板,所述測量體包括框架及設置在所述框架內自由活動的質量塊,所述蓋板與所述質量塊之間設置有過載保護裝置,所述過載保護裝置包括彈性部及凸點;所述凸點設置在所述彈性部上,所述彈性部設置在所述質量塊或所述蓋板上,所述凸點限制所述質量塊的運動幅度。
本發明中的MEMS檢測裝置還包括如下附屬特征:
所述彈性部設置在所述質量塊上,所述凸點設置在所述蓋板上與所述彈性部相對應的位置,所述凸點與所述彈性部相接觸,并限制所述質量塊的運動幅度;或所述彈性部設置在所述蓋板上,所述凸點設置在所述質量塊上與所述彈性部相對應的位置,所述凸點與所述彈性部相接觸,并限制所述質量塊的運動幅度。
所述過載保護裝置設置在所述質量塊與所述框架之間,所述彈性部設置在所述質量塊或所述框架上,所述凸點設置在所述彈性部上,所述凸點限制所述質量塊的運動幅度。
所述彈性部設置在所述質量塊上,所述凸點設置在所述框架上與所述彈性部相對應的位置,所述凸點與所述彈性部相接觸,并限制所述質量塊的運動幅度;或所述彈性部設置在所述框架上,所述凸點設置在所述質量塊上與所述彈性部相對應的位置,所述凸點與所述彈性部相接觸,并限制所述質量塊的運動幅度。
所述彈性部包括方體以及與所述方體相連接的多根彈性梁,所述凸點設置于所述方體上。
所述彈性梁以所述方體為中心呈十字交叉設置。
所述彈性梁設置在所述方體的兩個相對邊上。
所述彈性梁為L型彎曲梁,并與所述方體的四個角相連接。
所述彈性部為一個或多個成組設置。
所述彈性部設置在所述質量塊的中心位置;或者設置在所述質量塊的端角;或者設置在所述質量塊的一邊或多邊上。
所述彈性部設置在所述蓋板上與所述質量塊的中心相對應的位置;或者設置在所述蓋板上與所述質量塊的端角相對應的位置;或者設置在所述蓋板上與所述質量塊的一邊或多邊相對應的位置。
所述彈性部設置在所述框架上與所述質量塊的中心相對應的位置;或者設置在所述框架上與所述質量塊的端角相對應的位置;或者設置在所述框架上與所述質量塊的一邊或多邊相對應的位置。
所述MEMS檢測裝置采用<111>晶向的硅片。
所述MEMS檢測裝置采用包括有上硅層及下硅層的絕緣體上外延硅結構,每層硅層之間分別設置有氧化埋層。
一種MEMS檢測裝置的制造工藝,所述制造工藝包括以下步驟:
第一步,在所述絕緣體上外延硅硅片的正面及背面生長或淀積出二氧化硅層;
第二步,在所述絕緣體上外延硅硅片的正面及背面淀積一層氮化硅層;
第三步,通過光刻及刻蝕,將所述絕緣體上外延硅硅片背面的部分氮化硅層及二氧化硅層去除,并露出下硅層;
第四步,將下硅層暴露在外的部分刻蝕至氧化埋層;
第五步,通過光刻及刻蝕,將所述絕緣體上外延硅硅片正面的部分氮化硅層及二氧化硅層去除,露出上硅層;
第六步,將上硅層暴露在外的部分進行深度刻蝕至氧化埋層,形成彈性梁;
第七步,對所述氧化埋層進行刻蝕,形成凹陷區及自由活動的彈性梁;
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