[發(fā)明專利]一種背拋光太陽能電池工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310304597.4
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN104638050A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設計）人: 郭翠麗
• 申請（專利權）人: 北京中科信電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種背拋光太陽能電池工藝制備：包括：

(1)選取P型多晶硅片，進行背表面拋光制備；

對于P型多晶硅片，采用氫氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)混合液對硅片進行拋光，濃度為70％的HNO₃和濃度為50％的HF以體積比10～12∶1的混合液。

(2)進行表面絨面制備；

P型硅片，采用氫氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)混合液對硅片進行制絨，濃度為70％的HNO₃和濃度為50％的HF以體積比4～3∶1的混合液。

(3)磷擴散形成前表面場；

將制絨后硅片采用三氯氧磷液態(tài)磷源進行管式擴散形成前表面場。

(4)去除磷硅玻璃；

將磷擴散后的硅片浸入體積百分含量為5％的氫氟酸(濃度為50％)溶液中清洗去除磷擴散后的磷硅玻璃層。

(5)前表面沉積氮化硅膜

采用PECVD方法對前表面沉積雙層氮化硅。

(6)絲網(wǎng)印刷背電極、鋁背場及正電極

背電極、鋁背場及正電極進行印刷及烘干，印刷增重要嚴格控制。

(7)燒結

前后表面金屬進行一次燒結，形成背面局部P+層和前后表面電極的歐姆接觸。

2.如權利要求1所述的一種背拋光太陽能電池工藝，其特征在于，其中所述的(1)中混合液為70％的HNO₃和濃度為50％的HF，其體積比為10～12∶1，反應溫度：10-20℃。

3.如權利要求1所述的一種背拋光電池工藝，其特征在于，其中所述(2)中制絨采用濃度為70％的HNO₃和濃度為50％的HF以體積比4～3∶1的混合液，反應溫度：0-1℃。

4.如權利要求1所述的一種背拋光太陽能電池工藝，其特征在于，其中所述(3)中擴散后方塊電阻為78～85Ω/□，結深0.3～0.5um。

5.如權利要求1所述的一種背拋光太陽能電池工藝，其特征在于，其中所述(4)中磷硅玻璃層清洗時采用體積百分含量為5％的氫氟酸(濃度為50％)溶液。

6.如權利要求1所述的一種背拋光太陽能電池工藝，其特征在于，其中所述(5)氮化硅膜為雙層氮化硅或二氧化硅和氮化硅的疊層膜。

7.如權利要求1所述的一種背拋光太陽能電池工藝，其特征在于，其中所述(6)背場的印刷增重1.4～1.5g。

8.如權利要求1所述的一種背拋光太陽能電池工藝，其特征在于，其中所述(7)最高燒結溫度為750～900℃。