[發明專利]一種缺陷接地結構交指耦合器

無效

• 申請號: 201310304383.7
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN103414003A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 許鋒;巫兆祥
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 朱小兵

技術領域

本發明屬于微波技術領域，具體指的是一種缺陷接地結構交指耦合器。

背景技術

耦合器作為一種微波無源器件，在整個微波系統的發展中有著不可或缺的作用；寬帶/超寬帶通信的發展對包含耦合器在內的微波無源器件提出了更苛刻的要求。耦合器具備較大的帶寬可以滿足寬帶通信的使用要求，還可以增加器件的通用性。不管是耦合器還是通過耦合結構實現的濾波器，為了實現較大的帶寬，都要求耦合結構有較強的耦合；對于交指耦合結構，強耦合意味著耦合條帶及條帶之間的間距變得很小，一方面這會惡化耦合器的隔離效果，導致隔離端分散直通端及耦合端的能量，設計耦合器時需要抑制隔離端能力，另一方面對生產工藝提出了更高的要求，甚至導致普通印刷電路板工藝達不到精度要求。

缺陷接地結構DGS是指傳輸線接地板的挖空部分，用來減小傳輸線的波長或增加傳輸線的特征阻抗。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是為了克服現有技術的不足，提供一種缺陷接地結構交指耦合器。所述耦合器針對寬帶交指耦合器耦合條帶之間間隙小，從而惡化隔離效果及對加工生產精度要求苛刻等的問題，旨在提供一種隔離效果良好的寬帶交指耦合器，同時降低對生產工藝的要求。

為了解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：

一種缺陷接地結構交指耦合器，包含介質基板，所述介質基板的一面分別貼接第一至第四耦合金屬條帶、第一至第四微帶饋線；介質基板的另一面貼接微帶接地板及DGS缺陷結構；所述第一至第四耦合金屬條帶設置于介質基板一面的中間位置；所述DGS缺陷結構位于所述第一至第四耦合金屬條帶對應位置；

所述第一至第四耦合金屬條帶沿介質基板的縱向依次并行排列；

所述第一耦合金屬條帶的一端與第三耦合金屬條帶的同側一端通過第一金屬跳線連接，第一耦合金屬條帶的另一端與第三耦合金屬條帶的同側另一端通過第二金屬跳線連接；

所述第二耦合金屬條帶的一端與第四耦合金屬條帶的同側一端通過第三金屬跳線連接，第二耦合金屬條帶的另一端與第四耦合金屬條帶的同側另一端通過第四金屬跳線連接；

所述第一耦合金屬條帶的一端與第一微帶饋線的一端垂直連接，第一耦合金屬條帶的另一端與第二微帶饋線的一端平行連接；

所述第四耦合金屬條帶的一端與第四微帶饋線的一端平行連接，第四耦合金屬條帶的另一端與第三微帶饋線的一端垂直連接；

所述第一至第四微帶饋線的另一端分別延伸至介質基板邊沿。

所述DGS結構是I字型或者矩形或者圓形結構。

所述DGS結構是單個DGS單元或者多個DGS單元。

本發明的有益效果是：本發明提供一種缺陷接地結構交指耦合器。所述耦合器采用跳線跨接實現四線交指耦合，從而得到較大的帶寬，同時引入交指耦合結構接地板處的DGS缺陷結構，改變耦合結構的電流分布，保證耦合器強耦合的同時有良好的隔離效果，且能夠有效的提高耦合器的工作帶寬。同時，本發明的耦合器具有較小的體積，簡單的結構，易于與其他部件集成，降低對加工工藝的要求。

附圖說明

圖1是DGS結構耦合器的正面示意圖。

圖2是DGS結構耦合器的反面示意圖。

圖3是耦合器的頻率響應。

附圖標記說明，圖1和圖2中1是第四微帶饋線，2是第三微帶饋線，3是第二微帶饋線，4是第第一微帶饋線，5是第一耦合金屬條帶，6是第二耦合金屬條帶，7是第三耦合金屬條帶，8是第四耦合金屬條帶，9是第一金屬跳線，10是第二金屬跳線，11是第三金屬跳線，12是第四金屬跳線，13是微帶接地板，14是DGS缺陷接地結構，15是介質基板。

具體實施方式

本發明提供的一種缺陷接地結構交指耦合器，如圖1和圖2所示，

一種缺陷接地結構交指耦合器，包含介質基板15，所述介質基板15的一面分別貼接四根耦合金屬條帶、四根微帶饋線；介質基板15的另一面貼接微帶接地板13及DGS缺陷結構14；所述四根耦合金屬條帶設置于介質基板的中間位置；所述DGS缺陷結構位于所述四根耦合金屬條帶對應位置；

所述四根耦合金屬條帶分別是第一至第四耦合金屬條帶；所述第一至第四耦合金屬條帶依次并行排列；

所述四根微帶饋線分別是第一至第四微帶饋線；

所述第一耦合金屬條帶5的一端與第三耦合金屬條帶7的同側一端通過第一金屬跳線9連接，第一耦合金屬條帶5的另一端與第三耦合金屬條帶7的同側另一端通過第二金屬跳線10連接；