[發明專利]一種晶圓的拋光方法在審
| 申請號： | 201310303957.9 | 申請日： | 2013-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN103394994A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 鐘旻 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 拋光 方法 | ||
1.一種晶圓的拋光方法，所述晶圓包括絕緣層和位于所述絕緣層上的半導體材料，其特征在于，在1個拋光盤上和在線監測曲線的監控下完成整個拋光過程，包括：
步驟S01：在高壓力和高轉速的條件下對所述晶圓表面進行第一次拋光；
步驟S02：當所述在線監測曲線的變化量為所述曲線上顯示的最高強度和拋光終點強度的差值的2/3時，停止拋光，用清洗液對所述晶圓表面進行第一次清洗，同時用拋光墊修復盤對所述拋光墊進行修復；
步驟S03：在中等壓力和中等轉速的條件下對所述晶圓表面進行第二次拋光；
步驟S04：當所述在線監測曲線捕捉到拋光終點時，停止拋光，用所述清洗液對所述晶圓表面進行第二次清洗；
步驟S05：采用低壓力和中等轉速對所述晶圓表面進行過拋光，將所述絕緣層上的半導體材料完全去除掉；
步驟S06：用所述清洗液對所述晶圓表面進行第三次清洗。
2.根據權利要求1所述的晶圓的拋光方法，其特征在于：
所述步驟S01中，所述高壓力為2-4psi，所述高轉速為70-100rpm；
所述步驟S02中，所述第一次清洗時間為30-60秒，所采用清洗液流量為200-500ml/min；
所述步驟S03中，所述中等壓力為1.5-3psi，所述中等轉速為60-90rpm；
所述步驟S04中，所述第二次清洗時間為60-90秒，所采用清洗液流量為200-500ml/min；
所述步驟S05中，所述低壓力為0.5-2psi，所述中等轉速為50-70rpm；
所述步驟S06中，所述第三次清洗時間為30-90秒，所采用清洗液流量為200-500ml/min。
3.根據權利要求1所述的晶圓的拋光方法，其特征在于，步驟S05中，所述的過拋光的時間是所述捕捉到拋光終點所消耗的時間的10%-30%。
4.根據權利要求1所述的晶圓的拋光方法，其特征在于，所述步驟S01、S03和S05中，所采用的拋光液的pH值為2-5。
5.根據權利要求1所述的晶圓的拋光方法，其特征在于，所述步驟S01、S03和S05中，所采用的研磨顆粒包括燒結二氧化硅顆粒、膠體二氧化硅顆粒、氧化鈰顆粒、以及二氧化硅和氧化鈰的復合研磨顆粒四者中的一種，所采用的氧化劑含量為0.1-3.0%。
6.根據權利要求1所述的晶圓的拋光方法，其特征在于，所述的在線監測曲線為摩擦系數曲線，光學參數曲線，電機電流參數曲線，或拋光墊溫度參數曲線。
7.根據權利要求1所述的晶圓的拋光方法，其特征在于，所述步驟S04中，所述拋光終點是指所述在線監測曲線從傾斜到趨于平坦時的拐點。
8.根據權利要求1所述的晶圓的拋光方法，其特征在于，所述的半導體材料是金屬氧化物或硫系化合物。
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