[發(fā)明專利]一種低表面復(fù)合太陽能電池及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310303782.1
• 申請(qǐng)日: 2013-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN103474500A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸俊宇;魏青竹;連維飛;張風(fēng)雷;王志剛;易輝;汪燕玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中利騰暉光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/068
• 分類號(hào): H01L31/068;H01L31/0248;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232
• 代理人: 黃珩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域，具體涉及一種低表面復(fù)合太陽能電池及其制作方法。

背景技術(shù)

低成本、高效率是當(dāng)前晶體硅太陽能電池的發(fā)展方向。降低光照區(qū)域的摻雜濃度，減小表面復(fù)合可以有效提升短波段光子效率，藍(lán)光響應(yīng)好，電流密度高，從而提升電池性能，是提高電池效率的有效途徑之一。目前主要有以下技術(shù)可以達(dá)到降低摻雜濃度，減小表面復(fù)合的目的：選擇性發(fā)射極技術(shù)、高方阻技術(shù)、離子注入技術(shù)。以前受到金半接觸質(zhì)量的影響，對(duì)于均勻發(fā)射極電池來講，正面銀漿接觸區(qū)域的摻雜濃度不能做得很低，在當(dāng)時(shí)背景下發(fā)展的選擇性發(fā)射極技術(shù)可以不受金半接觸質(zhì)量的限制，將表面摻雜濃度做低，但是其工藝流程相對(duì)比較復(fù)雜，工藝要求較高，需要添加設(shè)備或?qū)υ挟a(chǎn)線進(jìn)行改造，成本較高。且隨著漿料技術(shù)的發(fā)展，正面銀漿能夠跟摻雜濃度越來越低的表面形成很好的歐姆接觸，很多企業(yè)更傾向于工藝簡單，成本低廉的高方阻技術(shù)，大多數(shù)企業(yè)生產(chǎn)的電池片目前采用的都是高方阻技術(shù)工藝。高方阻技術(shù)工藝簡單，成本低廉，搭配合適的銀漿，可以提升電池效率。但是方阻做高、結(jié)做淺時(shí)，一般會(huì)減少通源量、降低溫度、減少工藝時(shí)間，這種情況下表面摻雜濃度與結(jié)深均難以控制，均勻性也難以保證；同時(shí)既要保證表面的摻雜濃度又要考慮到結(jié)深，兩者很難同時(shí)達(dá)到理想條件；另外這種工藝無法完全避免表面“死層”（非激活層）的影響；以上幾點(diǎn)都會(huì)嚴(yán)重影響到效率提升的效果。離子注入技術(shù)雖然能對(duì)摻雜濃度，結(jié)深進(jìn)行精確控制，且均勻性也很好，但是需要添加離子注入設(shè)備，成本高昂。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種低表面復(fù)合太陽能電池及其制作方法,使得在保留高方阻技術(shù)工藝簡單，成本低廉的優(yōu)點(diǎn)情況下克服其表面的摻雜濃度難以控制，無法完全避免表面死層的影響，方阻做高時(shí)均勻性難以保證的缺點(diǎn)。?

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種低表面復(fù)合太陽能電池，由下到上依次設(shè)置有：硅基底、擴(kuò)散層、減反膜層，在減反膜層上燒結(jié)有正電極，所述正電極與所述擴(kuò)散層電接觸。

優(yōu)選的,所述低表面復(fù)合太陽能電池為高方阻和低表面濃度,其方阻達(dá)到70~120Ω/□，表面濃度大小在1E20~5E20之間。

本發(fā)明提供一種低表面復(fù)合太陽能電池的制作方法，包括以下步驟：

第一步，原硅片制絨；

第二步，制絨后，區(qū)別于普通的高方阻工藝，采用低方阻、深結(jié)工藝進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散方阻更均勻;

第三步，擴(kuò)散后背面及邊緣PN結(jié)刻蝕，去PSG；

第四步，刻蝕后用HF/HNO3混合溶液或稀NaOH溶液處理，去除死層;?降低表面的摻雜濃度

第五步，鍍減反膜;

第六步，絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)。

優(yōu)選的，在所述第二步中，所述采用低方阻、深結(jié)的擴(kuò)散工藝，方阻控制在30~60Ω/□，結(jié)深控制在0.3~0.6um。

優(yōu)選的，在所述第四步中，所述HF/HNO3混合溶液中HF/HNO3的體積比為1:3~1:10，所述稀NaOH溶液濃度為0.1%~2%。

優(yōu)選的，在第四步中，固定溶液濃度的情況下通過調(diào)整工藝時(shí)間來調(diào)整腐蝕量，從而對(duì)最終的表面摻雜濃度進(jìn)行精確控制。

優(yōu)選的，通過增加通源量，使源量達(dá)到飽和，同時(shí)提高擴(kuò)散溫度，增加擴(kuò)散時(shí)間，這樣會(huì)大大提高方阻的均勻性，通過工藝溫度或者時(shí)間對(duì)結(jié)深進(jìn)行控制，在結(jié)深做深且不考慮表面濃度的情況下，結(jié)深容易控制。?

采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是：在第二步采用低方阻、深結(jié)的擴(kuò)散工藝，通過增加通源量，使源量達(dá)到飽和，同時(shí)提高擴(kuò)散溫度，增加擴(kuò)散時(shí)間，這樣會(huì)大大提高方阻的均勻性。通過工藝溫度或者時(shí)間對(duì)結(jié)深進(jìn)行控制，在結(jié)深做深且不考慮表面濃度的情況下，結(jié)深比較容易控制。在常規(guī)工藝上增加第四步，采用HF/HNO3混合溶液或稀的NaOH溶液將硅片表面的死層腐蝕掉，降低表面的摻雜濃度。

在固定溶液濃度的情況下通過調(diào)整工藝時(shí)間來調(diào)整腐蝕量，從而對(duì)最終的表面摻雜濃度進(jìn)行精確控制。目前大部分設(shè)備具備改造條件，通過簡單的設(shè)備與工藝調(diào)整，可以將第四步整合進(jìn)第三步中，工藝更加簡單，操作更加簡便。

本發(fā)明在具備高方阻技術(shù)工藝簡單，成本低廉優(yōu)點(diǎn)的前提下表面摻雜濃度于控制更加精確，能夠避免死層的影響，方阻的均勻性也更好，電池效率提升更明顯。?

附圖說明