[發明專利]一種β-SiC微粉和晶須的合成方法有效
| 申請號： | 201310303598.7 | 申請日： | 2013-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN103387231A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 張興材 | 申請（專利權）人： | 張興材 |
| 主分類號： | C01B31/36 | 分類號： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人： | 張貴賓 |
| 地址： | 256200 山東省濱州*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 合成 方法 | ||
1.一種β-SiC微粉和晶須的合成方法，以粉碎后混合均勻的碳質原料和硅質原料為反應料，其特征為，包括如下步驟：（1）碳質原料中的固定碳與硅質原料中的SiO2的質量比為1:1.6~1.7，將反應料裝入真空電阻爐內，然后將反應料壓實至堆積密度為0.8~1.1g/cm3；（2）在壓實后的反應料表面加蓋一塊多孔剛玉鋼板，封閉真空電阻爐爐體，對真空電阻爐抽真空至爐內壓力為100Pa以下，然后向真空電阻爐通電加熱至1400K~1500K，開始保溫；（3）當真空電阻爐內壓力維持在10Pa以下超過60分鐘時，停止對真空電阻爐供電，自然冷卻，得到純度為98.5%以上的β-SiC微粉或β-SiC晶須。
2.根據權利要求1所述的β-SiC微粉和晶須的合成方法，其特征在于：步驟（1）中，所述碳質原料為石油焦、無煙煤、煙煤和炭黑中的一種或幾種與石墨的混合物，其中石墨占混合物總質量的50~80%；所述硅質原料為石英石。
3.根據權利要求1所述的β-SiC微粉和晶須的合成方法，其特征在于：步驟（2）中，所述真空電阻爐的供電制度為，當反應料中心溫度小于800K時，控制真空爐表面負荷為6~8w/cm2，并且使真空度始終維持在100Pa以下；當反應料中心溫度在800~1200K時，控制真空電阻爐表面負荷為9~11w/cm2，并且使真空度始終維持在200Pa以下；當反應料中心溫度高于1200K以上時，控制真空電阻爐7~10w/cm2，并且使真空度始終維持在100Pa以下。
4.根據權利要求1所述的β-SiC微粉和晶須的合成方法，其特征在于：所述碳質原料粉碎后的粒度為45μm以下，硅質原料粉碎后的粒度為75μm以下。
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