[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310302820.1
• 申請(qǐng)日: 2013-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN104300084A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;黃輝;馮小明;王平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為：陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極復(fù)合層，其特征在于，所述陰極復(fù)合層由依次層疊的三元摻雜層和金屬摻雜層組成；其中，

所述三元摻雜層由質(zhì)量比為10:4:1~20:5:1的有機(jī)硅小分子、鈉鹽以及鋅化合物組成；所述有機(jī)硅小分子為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯；所述鈉鹽為碳酸鈉、氟化鈉、氯化鈉或溴化鈉；所述鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅或氯化鋅；

所述金屬摻雜層由質(zhì)量比為5:1:1~20:8:1的低功函數(shù)金屬、高功函數(shù)金屬與金屬硫化物組成；所述低功函數(shù)金屬的功函數(shù)為-2.0eV~-3.5eV，所述低功函數(shù)金屬為鎂、鍶、鈣或鐿；所述高功函數(shù)金屬的功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV，所述高功函數(shù)金屬為銀、鋁、鉑或金；所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所三元摻雜層的厚度為50~200nm。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為200~400nm。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導(dǎo)電陽(yáng)極基底的材質(zhì)為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃；

所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-?N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺；

所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；

所述電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。

5.?一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

(a)?在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基底的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；

(b)?采用蒸鍍的方法在所述電子注入層上制備三元摻雜層；隨后，在所述三元摻雜層上采用蒸鍍的方法制備低功函數(shù)金屬摻雜層；其中，

所述三元摻雜層由質(zhì)量比為10:4:1~20:5:1的有機(jī)硅小分子、鈉鹽以及鋅化合物組成；所述有機(jī)硅小分子為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯；所述鈉鹽為碳酸鈉、氟化鈉、氯化鈉或溴化鈉；所述鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅或氯化鋅；

所述金屬摻雜層由質(zhì)量比為5:1:1~20:8:1的低功函數(shù)金屬、高功函數(shù)金屬與金屬硫化物組成；所述低功函數(shù)金屬的功函數(shù)為-2.0eV~-3.5eV，所述低功函數(shù)金屬為鎂、鍶、鈣或鐿；所述高功函數(shù)金屬的功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV，所述高功函數(shù)金屬為銀、鋁、鉑或金；所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅。

6.?根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所三元摻雜層的厚度為50~200nm。

7.?根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為200~400nm。

8.?根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍的壓強(qiáng)為5×10^-5～2×10^-3Pa，在所述步驟(a)中，所述蒸鍍的速率為0.1～1nm/s，在所述步驟(b)中，所述蒸鍍速率為1～10nm/s，所述電子束蒸鍍的能量密度為10～100W/cm²。