[發明專利]半導體激光器有源區、半導體激光器及其制作方法有效
| 申請號： | 201310302799.5 | 申請日： | 2013-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN103368074A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 趙勇明;董建榮;李奎龍;孫玉潤;曾徐路;于淑珍;趙春雨;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 楊林;李友佳 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體激光器 有源 及其 制作方法 | ||
1.一種半導體激光器有源區，其特征在于：所述有源區包括量子阱結構，所述量子阱結構中勢阱層的材料為GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱結構中勢壘層的材料為GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.018～0.024；x=0.014～0，y=0.022～0。
2.根據權利要求1所述半導體激光器有源區，其特征在于：所述量子阱結構為單量子阱結構；所述單量子阱結構中的勢壘層為漸變勢壘層，勢壘層的材料GaNxAs1-x-yBiy中x、y的取值按照遠離勢阱層的方向分別從0.014～0、0.022～0連續漸變。
3.根據權利要求2所述半導體激光器有源區，其特征在于：所述單量子阱結構中勢阱層的厚度為5～8nm，勢壘層的厚度為8～20nm。
4.根據權利要求1所述半導體激光器有源區，其特征在于：所述量子阱結構為多量子阱結構；所述多量子阱結構的周期數為K,K的范圍是2～30。
5.根據權利要求4所述半導體激光器有源區，其特征在于：所述多量子阱結構包括依次疊層設置的第一GaNxAs1-x-yBiy壘層/波導層、GaNmAs1-m-nBin勢阱層、GaNxAs1-x-yBiy勢壘層、交替疊層設置GaNmAs1-m-nBin勢阱層和GaNxAs1-x-yBiy勢壘層直至第K周期的GaNmAs1-m-nBin勢阱層、第二GaNxAs1-x-yBiy壘層/波導層，其中，所述壘層/波導層的材料GaNxAs1-x-yBiy中，x、y的取值按照遠離勢阱層的方向分別從0.014～0、0.022～0連續漸變；所述GaNxAs1-x-yBiy勢壘層中,x=0.014～0，y=0.022～0；所述勢阱層的材料GaNmAs1-m-nBin中，m=0.010～0.018，n=0.018～0.024。
6.根據權利要求5所述半導體激光器有源區，其特征在于：所述多量子阱結構中，所述勢阱層的厚度為5～8nm，所述勢壘層的厚度為8～20nm，所述勢壘/波導層的厚度為100～400nm。
7.一種半導體激光器，其特征在于：包括如權利要求1-6任一所述的有源區。
8.根據權利要求7所述半導體激光器，其特征在于：該半導體激光器包括依次疊層設置的N+GaAs襯底、N+GaAs緩沖層、N+(Al)GaAs限制層、所述有源區、P+(Al)GaAs限制層以及P+GaAs歐姆接觸層。
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