[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310302738.9
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN104300094A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;黃輝;馮小明;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件為層狀結構，該層狀結構依次層疊為：陽極導電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極復合層，其特征在于，所述陰極復合層由依次層疊的結晶摻雜層、金屬硫化物摻雜層和陽極薄膜材料層組成；其中，

所述結晶摻雜層由質(zhì)量比為10:1~40:1的結晶材料與鋅化合物組成，所述的結晶材料為1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩，所述的鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅或氯化鋅；

所述金屬硫化物摻雜層由質(zhì)量比為5:1~20:1的金屬硫化物與鈍化材料組成，所述的金屬硫化物材料為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅，所述的鈍化材料為二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳或氧化銅；

所述的陽極薄膜層的材質(zhì)為銦錫氧化物靶材、鋁鋅氧化物靶材或銦鋅氧化物靶材。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述結晶摻雜層的厚度為50nm～300nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬硫化物摻雜層的厚度為100nm～200nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的陽極薄膜層的厚度為100nm～400nm。

5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，

所述陽極導電基底的材質(zhì)為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃；

所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）-N，N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺；

所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；

所述電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。

6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)清洗干凈陽極導電基底，用蒸鍍的方法在陽極導電基底上依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；

(b)用蒸鍍的方法在電子注入層上制備結晶摻雜層，然后在結晶摻雜層上制備金屬硫化物摻雜層，接著在金屬硫化物摻雜層上制備陽極薄膜材料層；其中，

所述結晶摻雜層的材質(zhì)具有質(zhì)量比為10:1~40:1的結晶材料與鋅化合物，所述的結晶材料為1,2,4-三唑衍生物、2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩，所述的鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅或氯化鋅；

所述金屬硫化物摻雜層具有質(zhì)量比為5:1~20:1的金屬硫化物與鈍化材料，所述的金屬硫化物材料為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅，所述的鈍化材料為二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳或氧化銅；

所述的陽極薄膜層具有銦錫氧化物靶材、鋁鋅氧化物靶材或銦鋅氧化物靶材。

7.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述結晶摻雜層的厚度為50nm～300nm。

8.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述金屬硫化物摻雜層的厚度為100nm～200nm。

9.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的陽極薄膜層的厚度為100nm～400nm。

10.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍的壓強為2×10^-3~5×10^-5Pa；在空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極復合層中，有機材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1~10nm/s；蒸鍍的能量密度為10～l00W/cm²。