[發明專利]降低應力的激光器芯片結構和熱沉結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201310302731.7
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN103427330A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 李豐
• 申請（專利權）人: 丹陽聚辰光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/024
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種降低應力的激光器芯片結構，包括激光器芯片主體(4)，激光器芯片主體(4)具有正極(6)和與外部電極電性連接的負極(7)，正極(6)上設置有多個發光部(9)，并且發光部(9)之間設置有第一凹槽(8)，其特征在于：還包括熱沉結構，熱沉結構包括熱沉主體(1)，熱沉主體(1)的正面(2)通過焊料層(5)焊接在激光器芯片主體(4)的正極(6)上，在熱沉主體(1)的位于激光器芯片主體(4)的第一凹槽(8)相對應的部位上開有第二凹槽(3)，并且該第二凹槽(3)與第一凹槽(8)一一對應。

2.根據權利要求1所述的降低應力的激光器芯片結構，其特征在于：所述的熱沉結構還包括金屬結構層(10)，熱沉主體(1)的背面通過焊料(11)沉鍍在金屬結構層(5)上。

3.根據權利要求1所述的降低應力的激光器芯片結構，其特征在于：所述的熱沉主體(1)由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復合材料制成。

4.根據權利要求1所述的降低應力的激光器芯片結構，其特征在于：所述的熱沉主體(1)為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。

5.根據權利要求1所述的降低應力的激光器芯片結構，其特征在于：所述的多個第二凹槽(3)為等間距排列狀，第二凹槽(3)的寬度d小于第一凹槽(8)的寬度D，并且第二凹槽(3)的寬度d為0.01mm～0.02mm。

6.根據權利要求1所述的降低應力的激光器芯片結構，其特征在于：所述的第二凹槽(3)的長度大于第一凹槽(8)的長度。

7.根據權利要求1所述的降低應力的激光器芯片結構，其特征在于：所述的第二凹槽(3)的縱向深度h大于焊料層(5)的厚度H。

8.一種熱沉結構，其特征在于：它采用如權利要求1至7中任一項所述的降低應力的激光器芯片結構中的熱沉結構。

9.一種熱沉結構的制備方法，其特征在于該方法的步驟如下：

1)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；

2)將基體上貼激光器芯片的部位進行表面拋光；

3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽(3)，形成熱沉主體(1)，并保證：a)第二凹槽(3)的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽(3)與激光器芯片發光部(9)之間的第一凹槽(8)一一對應；

4)在熱沉主體(1)的背面熱沉鍍金屬結構層(10)，完成整個熱沉結構的制作。

10.一種熱沉結構的制備方法，其特征在于該方法的步驟如下：

1)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；

2)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽(3)，形成熱沉主體(1)，并保證：a)第二凹槽(3)的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽(3)與激光器芯片發光部(9)之間的第一凹槽(8)一一對應；

3)將熱沉主體(1)上貼激光器芯片的部位進行表面拋光；

4)在熱沉主體(1)的背面熱沉鍍金屬結構層(10)，完成整個熱沉結構的制作。