[發明專利]GaAs隧道結及其制備方法

有效

• 申請號: 201310302507.8
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN103367480A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 甘興源;鄭新和;吳淵淵;王海嘯;王乃明;陸書龍;楊輝;有持祐之;內田史朗;池田昌夫;渡邊知雅;吉田浩;野町一郎
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所;索尼公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.?一種GaAs隧道結，包括在GaAs襯底表面依次設置的阻擋層、第一摻雜層和第二摻雜層，所述GaAs襯底、阻擋層以及第一摻雜層的導電類型相同，其特征在于，如果所述第一摻雜層為n型，第一摻雜劑為Te，則所述第二摻雜層為p型，第二摻雜劑為Mg；如果所述第一摻雜層為p型，所述第一摻雜劑為Mg，則所述第二摻雜劑為n型，所述第二摻雜劑為Te。

2.根據權利要求1所述GaAs隧道結，其特征在于，在所述GaAs襯底和阻擋層之間進一步包括一緩沖層，且所述緩沖層與所述GaAs襯底的導電類型相同。

3.一種GaAs隧道結的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

（1）在GaAs襯底表面外延生長阻擋層；

（2）在所述阻擋層表面，在第一溫度下生長第一摻雜層，所述GaAs襯底、阻擋層以及第一摻雜層的導電類型相同，所述第一摻雜層使用第一摻雜劑，所述第一摻雜層為n型，所述第一摻雜劑為Te，或所述第一摻雜層為p型，所述第一摻雜劑為Mg；

（3）在第二溫度下對所述第一摻雜層做退火處理，所述第二溫度高于所述第一溫度；

（4）在所述第一摻雜層表面，在第三溫度下生長第二摻雜層，所述第二摻雜層使用第二摻雜劑，其中，如果所述第一摻雜層為n型，則所述第二摻雜層為p型，所述第二摻雜劑為Mg，如果所述第一摻雜層為p型，則所述第二摻雜層為n型，所述第二摻雜劑為Te；

（5）在第四溫度下對所述第二摻雜層做退火處理，所述第四溫度高于所述第三溫度。

4.根據權利要求3所述的GaAs隧道結的制備方法，其特征在于，在所述步驟（1）生長所述阻擋層之前在GaAs襯底上生長緩沖層，且所述緩沖層與所述GaAs襯底的導電類型相同。

5.一種多結太陽電池，包括至少兩個光伏電池，其特征在于，所有所述光伏電池由如權利要求1所述的GaAs隧道結連接。