[發明專利]仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料

無效

• 申請號: 201310302453.5
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN103386396A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 劉克松;張璽瑤;楊帥;李舟;江雷
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: B05D5/08
• 分類號: B05D5/08;B05D7/24;B05D3/10;B05D3/00
• 代理公司: 北京永創新實專利事務所 11121
• 代理人: 姜榮麗

1.仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料，其特征在于：所述的仿生構筑包括以下幾個步驟：

第一步，將純度為99.999%的鉑片，經過激光刻蝕的方法，在鉑片表面形成了規則的微米結構；

第二步，鉑片預處理：將第一步中得到的鉑片依次浸入去離子水和無水乙醇中進行超聲清洗，再烘干待用；

第三步，配置王水；

第四步，將第二步中預處理好的鉑片浸入王水中，在常溫下浸泡5～10h后取出，用去離子水清洗干凈后，干燥；

第五步，采用以下兩種方法中的任意一種進行表面修飾：

（1）準備分析純的聚全氟烷基硅氧烷和無水乙醇溶液，將二者按照比例混合得到質量分數為1～5wt.%的聚全氟烷基硅氧烷的乙醇溶液；取出第四步中處理好的鉑片，浸入1～5wt%的聚全氟烷基硅氧烷的乙醇溶液中進行修飾，浸泡24h以上，取出置于烘箱中干燥1～3h；

或者，

（2）將經過第四步處理過的鉑片，置于室溫下真空干燥器中，在真空干燥器中放置聚全氟烷基硅氧烷，真空放置12h以上，使聚全氟烷基硅氧烷氣相沉積在鉑片表面；將在真空干燥器中放置的聚全氟烷基硅氧烷取出；

第六步，將經過第五步處理過的鉑片，在室溫下，繼續放置在干燥器中12h以上得到超疏水金屬鉑，實現了超疏水金屬鉑電極材料的仿生構筑。

2.根據權利要求1所述的仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料，其特征在于：所述王水通過如下方式制備得到：用量筒量取15～60ml鹽酸，鹽酸質量分數為36～38wt%，倒入200ml燒杯中備用，配置王水中鹽酸與硝酸體積比為3:1，按照比例量取5～20ml的硝酸，硝酸質量分數為65～68wt%，慢慢用玻璃棒引流入裝有鹽酸的燒杯中，得到王水。

3.根據權利要求1所述的仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料，其特征在于：所述的第二步具體為：將第一步中得到的鉑片浸入去離子水中，超聲裝置中超聲30～90分鐘；倒出清洗液，倒入無水乙醇，繼續超聲清洗鉑片30～90分鐘，再烘干，烘箱溫度60～90℃。

4.根據權利要求1所述的仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料，其特征在于：第四步中浸泡時間為6h，干燥溫度為60～90℃。

5.根據權利要求1所述的仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料，其特征在于：第五步（2）中真空干燥器中放置聚全氟烷基硅氧烷0.05～0.3mL。

6.根據權利要求1所述的仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料，其特征在于：所述的超疏水電極材料靜態接觸角數值大于150°，滾動角小于5℃。

7.根據權利要求1所述的仿生構筑基于金屬鉑的超疏水電極材料，其特征在于：第一步中所述的微米結構規格為（20μm～60μm）×（20μm～60μm）×（9μm～30μm）。