[發明專利]改良的太陽能硅晶圓的制造方法以及太陽能硅晶圓

有效

• 申請號: 201310302432.3
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN103579411A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 葉展宏;徐耀豐;鄭世隆;羅秋梅;何思樺;徐文慶
• 申請（專利權）人: 中美矽晶制品股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B28D5/00
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德

1.一種改良的太陽能硅晶圓的制造方法，其特征在于：按下述步驟進行：

一、提供一太陽能硅晶棒；

二、移除該太陽能硅晶棒的兩重工區域以保留一常態區域；

三、對該太陽能硅晶棒的該常態區域進行切片處理，以形成至少一個太陽能硅晶圓；

四、將該些太陽能硅晶圓放置于一高溫設備中，并將該些太陽能硅晶圓進行退火處理：加熱升溫至一反應溫度之后持溫一反應時間，之后進行降溫。

2.如權利要求1所述的改良的太陽能硅晶圓的制造方法，其特征在于：該太陽能硅晶棒為多晶硅晶棒，該太陽能硅晶圓為多晶硅晶圓。

3.如權利要求1所述的改良的太陽能硅晶圓的制造方法，其特征在于：該常態區域的定義為載子壽命高于一預定數值，該預定數值的范圍介于2至5微秒之間。

4.如權利要求1所述的改良的太陽能硅晶圓的制造方法，其特征在于：該兩重工區域分別位于該太陽能硅晶棒的兩端。

5.如權利要求1所述的改良的太陽能硅晶圓的制造方法，其特征在于：該反應溫度為大于330℃。

6.如權利要求1所述的改良的太陽能硅晶圓的制造方法，其特征在于：該反應時間為大于30分鐘。

7.如權利要求1所述的改良的太陽能硅晶圓的制造方法，其特征在于：該加熱升溫過程中更包括通入純的惰性氣體于該高溫設備內，該惰性氣體的氣體流量范圍介于每分鐘3至7升之間。

8.一種太陽能硅晶圓，其特征在于：其是由一太陽能硅晶棒的一常態區域分割出來，并經由加熱至一反應溫度之后持溫一反應時間的退火處理所形成的該太陽能硅晶圓。

9.如權利要求8所述的太陽能硅晶圓，其特征在于：該反應溫度為大于330℃。

10.如權利要求8所述的太陽能硅晶圓，其特征在于：該反應時間為大于30分鐘。