[發明專利]基于熱電壓和閾值電壓的基準電壓源

無效

• 申請號: 201310302324.6
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN103383583A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 周澤坤;張其營;許天輝;茍超;崔佳男;石躍;明鑫;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德

1.基于熱電壓和閾值電壓的基準電壓源，其特征在于，包括：12個NMOS管和14個PMOS管；具體連接關系如下：

第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管、第七PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管以及第十三PMOS管的源端接電源電壓；第一PMOS管的柵端、第一NMOS管的源端與漏端、第二NMOS管的源端、第三NMOS管的源端、第四NMOS管的源端、第六NMOS管的源端以及第十四PMOS管的漏端均接地電位；第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的柵端均與第一NMOS管的柵端相連接；第二NMOS管柵端與漏端、第三NMOS管的柵端、第四NMOS管的柵端、第四PMOS管的漏端均與第二PMOS管的漏端相連接；第三PMOS管的柵端和漏端均與第四PMOS管的源端相連接；第四PMOS管的柵端、第四NMOS管的漏端均與第八PMOS管的漏端相連接；第五PMOS管的漏端與第六PMOS管的源端相連接；第五PMOS管的柵端、第六PMOS管的柵端和漏端、第三NMOS管的漏端均與第八PMOS管的柵端相連接；第七PMOS管的柵端和漏端、第九PMOS管的柵端、第十PMOS管的柵端、第十一PMOS管的柵端、第十二PMOS管的柵端、第十三PMOS管的柵端均與第八PMOS管的源端相連接；、第五NMOS管的柵端和漏端、第六NMOS管的柵端均與第九PMOS管的漏端相連接；第五NMOS管的源端、第六NMOS管的漏端均與第八NMOS管的源端相連接；第七NMOS管的柵端和漏端、第八NMOS管的柵端均與第十PMOS管的漏端相連接；第七NMOS管的源端、第八NMOS管的漏端均與第十NMOS管的源端相連接；第九NMOS管的柵端和漏端、第十NMOS管的柵端均與第十一PMOS管的漏端相連接；第九NMOS管的源端、第十NMOS管的漏端均與第十二NMOS管的源端相連接；第十一NMOS管的柵端和漏端、第十二NMOS管的柵端均與第十二PMOS管的漏端相連接；第十一NMOS管的源端、第十二NMOS管的漏端均與第十四PMOS管的柵端相連接；第十四PMOS管的源端與第十三PMOS管的漏端相連接。

2.根據權利要求1所述的基于熱電壓和閾值電壓的基準電壓源，其特征在于，所述基準電壓源制作成集成電路。

3.根據權利要求2所述的基于熱電壓和閾值電壓的基準電壓源，其特征在于，所述集成電路采用標準CMOS工藝制作。