[發(fā)明專利]中高壓電子鋁箔電沉積彌散錫晶核的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310302171.5
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN103361692A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何業(yè)東;彭寧;梁力勃;宋洪洲;楊小飛;蔡小宇;熊傳勇
• 申請（專利權(quán)）人: 廣西賀州市桂東電子科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: C25D5/44
• 分類號: C25D5/44;C25D3/30;H01G9/055
• 代理公司: 廣西南寧公平專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 45104
• 代理人: 黃永校

1.中高壓電子鋁箔電沉積彌散錫晶核的方法，其特征在于，包括如下步驟：將表面沒有富集電位較正元素的高純中高壓鋁箔在高純水、堿溶液、或磷酸溶液中、或硝酸進行預(yù)處理，除去表面的氧化膜，在鋁箔表面形成新的含水膜；或?qū)⒈砻鏇]有富集電位較正元素的高純中高壓鋁箔進行電化學(xué)拋光處理，在除去鋁箔表面原有氧化膜的同時在鋁箔表面形成新的含水膜；或在堿溶液、或磷酸溶液、或硝酸溶液中進行預(yù)處理，除去中高壓鋁箔表面富集電位較正元素的合金層，在鋁箔表面形成新的含水膜；然后采用快速電沉積錫技術(shù)，在鋁箔表面沉積出彌散的錫晶核。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電子鋁箔電沉積彌散錫晶核的方法，其特征在于，將表面沒有富集電位較正元素的高純中高壓鋁箔在60～100℃高純水中處理5～50秒，或在15～70℃濃度為1～5wt%的堿溶液中處理5～30秒，或在40～60℃濃度為3～6wt%的磷酸溶液中處理30～60秒，或在15～70℃體積濃度為30～60%的硝酸溶液中處理10～40秒除去表面的氧化膜，水洗，在鋁箔表面形成新的含水膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電子鋁箔電沉積彌散錫晶核的方法，其特征在于，將表面沒有富集電位較正元素的高純中高壓鋁箔在溫度為40～70℃含有體積濃度為40～70%磷酸+30～50%硫酸+1～3%丙三醇混合溶液中進行電解拋光處理，其中，拋光電流密度為30～120mA/cm²,拋光時間為10～60秒，水洗，在鋁箔表面形成新的含水膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電子鋁箔電沉積彌散錫晶核的方法，其特征在于，在30～70℃濃度為5～12wt%的堿溶液中處理60～120秒，或在40～60℃濃度為10～20wt%的磷酸溶液中處理60～120秒，除去中高壓鋁箔表面富集電位較正元素的合金層，然后在30～70℃體積濃度為30～50%的硝酸溶液中處理10～40秒，水洗，在鋁箔表面形成新的含水膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4任意一項所述的中高壓電子鋁箔電沉積彌散錫晶核的方法，其特征在于，電沉積彌散錫晶核電解液的組成為：0.5～5wt%三水合錫酸鈉，0.05～0.2wt%醋酸鈉；溫度為40～70℃；以石墨為陽極，以表面形成新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極；電沉積彌散錫晶核時鋁箔帶電進入電解液，其中電沉積的電流密度為25～70mA/cm²,電沉積時間為5～30秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5任意一項所述的中高壓電子鋁箔電沉積彌散錫晶核的方法，其特征在于，該方法作為制造中高壓電子鋁光箔的最后處理步驟或作為制造中高壓電子鋁腐蝕箔的前處理步驟。