[發明專利]光電二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201310301655.8
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN103545396B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: L·E·尤里斯;G·M·格朗杰;K·J·戴維斯;N·L·阿波哥;P·D·布瑞維爾;B·諾守
• 申請（專利權）人: 波音公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y10/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 趙蓉民,張全信

1.用于制造光電二極管(10)的方法，其包括下述步驟：

提供基底，所述基底包括鍺(12)；

摻雜所述基底；

使所述基底經歷硫鈍化；

在所述硫鈍化之后，清潔所述基底；

溶液沉積量子納米材料層(14)在所述基底上，所述量子納米材料層(14)包括多個量子納米材料(22)，所述多個量子納米材料(22)的每個量子納米材料(22)包括

核心，其包括錫-碲化物和鉛-錫-碲化物的至少一種，其被調諧以吸收中波長紅外線和長波長紅外線的帶寬內的輻射；和

在所述核心上的配體涂層(24)，其包括金屬硫屬元素化物絡合物，所述金屬硫屬元素化物絡合物包括錫-硫化物、錫-硒化物和錫-碲化物的至少一種，其中所述配體涂層(24)使用配體交換反應施加至所述核心以替換所述核心上的初始涂層；和

施加薄膜氧化物層(16)在所述量子納米材料層(14)上。

2.權利要求1所述的方法，其中所述鍺(12)是摻雜p型鍺。

3.權利要求1或2所述的方法，其中所述多個量子納米材料(14)為多個量子點(22)。

4.權利要求1或2所述的方法，其中所述多個量子納米材料(14)包括錫-碲化物；其中所述多個量子納米材料(14)的最大橫截面直徑尺寸在15納米和50納米之間。

5.權利要求1或2所述的方法，其中所述多個量子納米材料(14)包括鉛-錫-碲化物；其中所述多個量子納米材料(14)的最大橫截面直徑尺寸為至少7.5納米。

6.權利要求1或2所述的方法，其中所述薄膜氧化物層(16)通過溶液沉積法施加。

7.權利要求1或2所述的方法，其中所述薄膜氧化物層(16)包括無定形氧化物半導體。

8.權利要求1或2所述的方法，進一步包括施加第一接觸層(18)在所述薄膜氧化物層(16)上的步驟。

9.權利要求1或2所述的方法，進一步包括施加第二接觸層(20)在所述基底上的步驟。

10.光電二極管，包括：

基底，其包括摻雜的鍺和硫鈍化的表面；

位于所述基底的所述硫鈍化的表面上的溶液澆鑄的量子納米材料層(14)，所述溶液澆鑄的量子納米材料層(14)包括多個量子納米材料(22)，其被調諧以吸收中波長紅外線和長波長紅外線的帶寬內的輻射，

所述多個量子納米材料(22)的每個量子納米材料(22)包括

核心，其包括錫-碲化物；

所述核心上的配體涂層(24)，所述配體涂層(24)包括金屬硫屬元素化物絡合物，其中所述金屬硫屬元素化物絡合物包括錫-硫化物、錫-硒化物和錫-碲化物的至少一種；和

在所述溶液澆鑄的量子納米材料層(14)上的薄膜氧化物層(16)。