[發明專利]平板顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201310301596.4 | 申請日: | 2013-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN103545341B | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 羅相男 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;馮敏 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平板 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種平板顯示裝置,包括:
基底;
絕緣層,位于基底上,絕緣層具有第一開口、第二開口和第三開口;
多個第一線,位于絕緣層上,第一線與第一開口疊置并沿第一方向延伸,所述多個第一線包括第一有機發光層;
多個第二線,位于絕緣層上,第二線與第二開口疊置并沿第一方向延伸,所述多個第二線包括與第一有機發光層不同的第二有機發光層;以及
多個第三線,位于絕緣層上,第三線與第三開口疊置并沿第一方向延伸,所述多個第三線包括與第一有機發光層和第二有機發光層不同的第三有機發光層,
其中,彼此相鄰的第一線和第二線在絕緣層上彼此部分疊置,第一線、第二線和第三線不與和其他線疊置的開口疊置,
其中,平板顯示裝置還包括多個像素,所述多個像素的第一像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,
其中,第一開口中的一個第一開口、第二開口中的一個第二開口和第三開口中的一個第三開口分別設置為與第一子像素、第二子像素和第三子像素對應,
其中,所述多個像素中的第二像素包括第四子像素、第五子像素和第六子像素,
其中,所述多個第一線中的一個第一線延伸穿過第一子像素和第四子像素,所述多個第二線中的一個第二線延伸穿過第二子像素和第五子像素,所述多個第三線中的一個第三線延伸穿過第三子像素和第六子像素,
其中,第一開口和與第一開口相鄰的第二開口之間的距離大于第二開口和與第二開口相鄰的第三開口之間的距離。
2.根據權利要求1所述的平板顯示裝置,其中,彼此相鄰的第二線和第三線在絕緣層上彼此部分疊置。
3.根據權利要求1所述的平板顯示裝置,其中,第一開口和與第一開口相鄰的第三開口之間的距離不同于第二開口和與第二開口相鄰的第三開口之間的距離。
4.根據權利要求3所述的平板顯示裝置,其中,第一開口和與第一開口相鄰的第三開口之間的距離大于第二開口和與第二開口相鄰的第三開口之間的距離。
5.根據權利要求1所述的平板顯示裝置,其中,來自第一開口、第二開口和第三開口之中的至少兩個開口具有彼此不同的尺寸。
6.根據權利要求5所述的平板顯示裝置,其中,每個第三開口的尺寸大于每個第一開口的尺寸或每個第二開口的尺寸。
7.根據權利要求1所述的平板顯示裝置,其中,絕緣層還具有第四開口,所述平板顯示裝置還包括在絕緣層上的多個第四線,第四線與第四開口疊置并沿第一方向延伸,所述多個第四線包括與第一有機發光層、第二有機發光層和第三有機發光層不同的第四有機發光層。
8.一種平板顯示裝置,包括:
基底;
絕緣層,位于基底上,絕緣層具有第一開口、第二開口和第三開口;
多個第一線,位于絕緣層上,第一線與第一開口疊置并沿第一方向延伸,所述多個第一線包括第一有機發光層;
多個第二線,位于絕緣層上,第二線與第二開口疊置并沿第一方向延伸,所述多個第二線包括與第一有機發光層不同的第二有機發光層;以及
多個第三線,位于絕緣層上,第三線與第三開口疊置并沿第一方向延伸,所述多個第三線包括與第一有機發光層和第二有機發光層不同的第三有機發光層,
其中,第一線、第二線和第三線不與和其他線疊置的開口疊置,第一開口和與第一開口相鄰的第二開口之間的距離大于第二開口和與第二開口相鄰的第三開口之間的距離,
其中,平板顯示裝置還包括多個像素,所述多個像素的第一像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,
其中,第一開口中的一個第一開口、第二開口中的一個第二開口和第三開口中的一個第三開口分別設置為與第一子像素、第二子像素和第三子像素對應,
其中,所述多個像素中的第二像素包括第四子像素、第五子像素和第六子像素,
其中,所述多個第一線中的一個第一線延伸穿過第一子像素和第四子像素,所述多個第二線中的一個第二線延伸穿過第二子像素和第五子像素,所述多個第三線中的一個第三線延伸穿過第三子像素和第六子像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





