[發(fā)明專利]一種TSV背面露頭方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310301502.3
• 申請(qǐng)日: 2013-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN103390580A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于大全;薛愷;劉海燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海海頌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31258
• 代理人: 任益

1.一種TSV背面露頭方法，其特征在于包括以下步驟：?

（1）利用背面研磨工藝處理已完成TSV填充的晶圓襯底背面，將晶圓襯底減薄至距離TSV銅柱底部1-10um處；

（2）利用化學(xué)機(jī)械拋光工藝處理晶圓襯底背面，直到TSV銅柱從背面露出，或利用背面減薄工藝處理晶圓襯底背面直到TSV銅柱從背面露出；

（3）對(duì)晶圓襯底背面露出的銅柱端面的銅進(jìn)行化學(xué)置換處理，在晶圓襯底背面TSV的銅柱端面形成一層金屬保護(hù)膜；

（4）利用等離子或濕法刻蝕工藝刻蝕晶圓背面TSV周圍的襯底材料，刻蝕的厚度范圍為1-8um，使得TSV底部露出；

（5）在晶圓襯底背面制作鈍化層；

（6）對(duì)上述鈍化層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，使TSV銅柱底部從襯底背面露出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TSV背面露頭方法，其特征在于所述第3）步驟中的金屬保護(hù)膜的材質(zhì)可以為銀、锝、鈀、銠、鉑、金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TSV背面露頭方法，其特征在于所述第5）步驟中的鈍化層，其材料可以是二氧化硅、氮化硅和其他有機(jī)聚合物的一種或不同種的疊層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的TSV背面露頭方法，其特征在于所述晶圓襯底的材料還可以是二氧化硅。