[發明專利]一種光電檢測痕量二氧化氮的方法

無效

• 申請號: 201310301212.9
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN103344568A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 祖佰祎;竇新存;陸彬;郭亞楠;楊政;郭林娟
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: G01N21/17
• 分類號: G01N21/17
• 代理公司: 烏魯木齊中科新興專利事務所 65106
• 代理人: 張莉

1.一種光電檢測痕量二氧化氮的方法，其特征在于該方法涉及的電阻式傳感器是由陶瓷基底（1）、固定電極（2）、敏感材料（3）、加熱器及熱電偶（4）、信號處理器（5）和光源（6）組成，利用電阻式傳感器的敏感材料的光電導效應，使用200-800?nm波長范圍的光照射敏感材料（3），通過敏感材料（3）的電阻變化檢測痕量二氧化氮，具體操作按下列步驟進行：

a、在陶瓷基底（1）上固定電極（2），通過敏感材料（3）將電極（2）連通，電極（2）與信號處理器（5）連接，加熱器及熱電偶（4）固定在陶瓷基底（1）的底部，構成電阻式傳感器；

b、將光源（6）波長范圍在200-800?nm之間的發光二極管、Xe燈、Hg燈或激光光源固定在步驟a制作的傳感器上方，將傳感器置于含有已知濃度的NO₂氣氛中，于室溫至500℃，在光源（6）0-100?W/m²光強條件下，照射敏感材料（3），以敏感材料（3）的電阻變化為信號，對傳感器進行標定；

c、將傳感器置于含有未知濃度的NO₂的氣氛中，于室溫至500℃，在光源（6）0-100?W/m²光強條件下，對痕量NO₂進行光電檢測。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟a敏感材料（3）中為單一成分半導體材料氧化鎳、氧化鉬、氧化亞銅、三氧化鎢、二氧化錫、氧化鋅或碳納米管；異質結半導體材料為二氧化錫/氧化鋅；復合半導體材料為氧化釔穩定氧化鋯或二氧化鈦/石墨烯。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟b光源（6）的波長范圍在200-800?nm之間，且光源（6）光子能量大于或等于敏感材料（3）中異質結半導體材料或復合半導體材料禁帶寬度較小的半導體材料的禁帶寬度。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟b和步驟c中光源（6）發出復色光時，使用光柵、濾波片、透鏡和反射鏡將光線處理為單色光。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟b中光源（6）為發光二極管。