[發明專利]一種制備硫化鋅光電薄膜的方法有效
| 申請號: | 201310301207.8 | 申請日: | 2013-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN103400892A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 劉科高;石璐丹;李靜;孫齊磊;許斌 | 申請(專利權)人: | 山東建筑大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 250101 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 硫化鋅 光電 薄膜 方法 | ||
1.一種制備硫化鋅光電薄膜的方法,包括如下順序的步驟:?
a.玻璃基片或硅基片的清洗;?
b.將2.69~5.38份ZnCl2·2H2O放入150~400份的溶劑中,使溶液中的物質均勻混合;?
c.制作外部均勻涂抹步驟b所述溶液的基片,并烘干,得到前驅體薄膜樣品;?
d.將1.0~2.0份的升華硫放入有水合聯氨的可密閉容器,使升華硫與水合聯氨混合;?
e.將步驟c所得前驅體薄膜樣品置于支架上,放入步驟d所述的有水合聯氨和升華硫的可密閉容器,使前驅體薄膜樣品不與水合聯氨和升華硫接觸,將裝有前軀體薄膜樣品的密閉容器放入烘箱中,加熱至160~220℃之間,保溫時間10~60h小時,然后冷卻到室溫取出;?
f.將步驟e所得產物,進行自然干燥,得到硫化鋅光電薄膜。
2.如權利要求1所述的一種制備硫化鋅光電薄膜的方法,其特征在于,步驟a所述清洗,是將大小為2mm×2mm玻璃基片或硅基片,放入體積比三氯甲烷∶乙醇=5∶1的溶液中,超聲波清洗;再將基片放入丙酮∶蒸餾水=5∶1的溶液中,超聲波清洗;再在蒸餾水中將基片用超聲波振蕩;將上述得到的基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。
3.如權利要求1所述的一種制備硫化鋅光電薄膜的方法,其特征在于,步驟b所述溶劑為去離子水、乙醇、乙二醇、鹽酸中的至少一種。
4.如權利要求1所述的一種制備硫化鋅光電薄膜的方法,其特征在于,步驟c所述均勻涂布的基片,是通過勻膠機旋涂,勻膠機以200~3500轉/分旋轉,然后對基片進行烘干后,再次如此重復2~15次,得到了一定厚度的前驅體薄膜樣品。
5.如權利要求1所述的一種制備硫化鋅光電薄膜的方法,其特征在于,步驟d所述密閉容器內放入150.0~280.0份水合聯氨。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東建筑大學,未經山東建筑大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310301207.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





