[發明專利]一種制備銅銦碲薄膜的方法

有效

• 申請號: 201310301206.3
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN103390692A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 劉科高;張力;李靜;石磊;許斌
• 申請（專利權）人: 山東建筑大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于光電薄膜制備技術領域，尤其涉及一種制備銅銦碲薄膜的制備方法。?

背景技術

眾所周知，經濟的高速發展必然帶來能源消耗量的激增。隨著近年來我國社會和經濟高速發展，能源緊缺及消費能源帶來的污染已成為國內社會發展中的突出問題，因此開發利用清潔能源對保護環境、經濟可持續發展和構筑和諧社會都有重要的意義。為了更充分的利用太陽能這種清潔、安全和環保的可再生資源，近年來光電材料的研究和應用日益受到重視。?

銅銦碲基薄膜太陽電池目前可以認為是最有發展前景的薄膜電池，這是因為其吸收層材料CuInTe₂具有較高的光電轉化率等一系列優點。特別是以銅銦碲光電薄膜的制備研究已經取得了較大的進展。?

目前銅銦碲薄膜的制備方法主要有溶劑熱法、噴射熱解法、化學沉積法、反應濺射法、真空蒸發法等。由于原料成本低，因此是一種非常有發展前途的光電薄膜材料，但現有工藝路線復雜、制備成本高，因而需要探索低成本的制備工藝。?

象前面所述方法一樣，其它方法也有不同的缺陷。與本發明相關的還有如下文獻：?

[1]Leccabue?F，Pelosi?C.Growth?conditions?of?CuBTe₂(B＝Ga，In)single?crystals?by?the?closed?tube?chemical?vapor?transport?technique.Materials?Letters，1983，2(1)：42-44.?

主要描述了首次通過連通管化學氣象傳輸技術制備CuGaTe₂和CuInTe₂單晶。并且所有樣品經測試都具有P型導電型。?

[2]Xian-Zhou?Z，Ke-Sheng?S，Zhao-Yong?J，et?al.A?study?of?the?electronic?structures?and?optical?properties?of?CuXTe₂(X＝Al，Ga，In)ternary?semiconductors.Computational?and?Theoretical?Chemistry，2013.?

主要研究了三元半導體Cu_XTe₂(X＝Al，Ga，In)的電子結構和光學性能，并且這些化合物有相似的光學光譜和各向異性。這些發現預言CuGaTe₂和CuInTe₂因為其在可見光范圍內優秀的光吸收率和光導電性，而在光伏領域具有廣闊的前景。?

[3]Bhattacharya?R?N，Rajeshwar?K.Electrodeposition?of?CuInX(X＝Se，Te)thin?films.Solar?Cells，1986，16：237-243.?

主要描述了用電沉積法制備CuInX(X＝Se，Te)薄膜的過程。并研究了不同電解質對薄膜制備的影響。?

[4]Orts?J?L，Diaz?R，Herrasti?P，et?al.CuInTe₂and?In-rich?telluride?chalcopyrites?thin?films?obtained?by?electrodeposition?techniques.Solar?energy?materials?and?solar?cells，2007，91(7)：621-628.?

主要描述了使用電沉積方法在鉬玻璃基片上制備單相的CuInTe₂薄膜。并研究了不同Te氣氛與In/Cu比例對CuInTe₂合成和形態的影響。?

[5]Ishizaki?T，?Saito?N，Fuwa?A.Electrodeposition?of?CuInTe₂film?from?an?acidic?solution.Surface?and?Coatings?Technology，2004，182(2)：156-160.?

主要描述了使用電化學沉積方法制備多晶的CuInTe₂薄膜。并研究了不同沉積溫度和過電位對CuInTe₂合成的影響，以及研究了多晶CuInTe₂薄膜的禁帶寬度。?