[發明專利]一種基準電壓源

無效

• 申請號: 201310301186.X
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN103412596A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 方健;彭宜建;王賀龍;谷洪波;賈姚瑤;程春云
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種基準電壓源，其特征在于，包括輸入偏置和啟動電路、開關電容電路、運算放大器和基準產生電路，所述輸入偏置和啟動電路與所述開關電容電路連接，所述開關電容電路與運算放大器和基準產生電路連接；輸入偏置和啟動電路用于輸出啟動信號啟動基準電壓源，使基準電壓源電路開始工作，開關電容電路接受輸入偏置和啟動電路的信號，同時通過控制開關反饋改變偏置和啟動電路的輸出，電路通過后一級的控制信號選擇輸入，開關電容電路的輸出控制信號到運算放大器和基準產生電路，并與運算放大器和基準產生電路的輸出端連接作基準電壓源的輸出端。

2.根據權利要求1所述的一種基準電壓源，其特征在于，所述輸入偏置和啟動電路包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第一NMOS管N1、第十二NMOS管N12、第十三NMOS管N13、第十四NMOS管N14、第十五NMOS管N15和第十六NMOS管N16，所述開關電容電路包括第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第十NMOS管N10、第十一NMOS管N11、第一邏輯控制信號SW1、第二邏輯控制信號SW2、第三邏輯控制信號SW3、第四邏輯控制信號SW4、第一電容C1、第二電容C2和第三電容C3，所述運算放大器和基準產生電路包括第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第十七NMOS管N17、第十八NMOS管N18、第十九NMOS管N19和第四電容C4；其中，

第一PMOS管P1的漏極與第十二NMOS管N12的柵極和第十三NMOS管N13的漏極連接，第十三NMOS管N13的柵極、第十四NMOS管N14的柵極和漏極、第十五NMOS管N15的柵極、第二PMOS管P2的漏極、第十六NMOS管N16的柵極連接，第十二NMOS管N12的漏極與第二PMOS管P2的柵極、第三PMOS管P3的柵極和漏極、第十五NMOS管N15的漏極、第四PMOS管P4的柵極、第五PMOS管P5的柵極、第六PMOS管P6的柵極連接，第十五NMOS管N15的源極和第十六NMOS管N16的漏極連接，第四PMOS管P4的漏極與第一NMOS管N1的漏極和柵極、第六NMOS管N6的漏極、第七NMOS管N7的漏極、第八NMOS管N8的漏極連接；

第六NMOS管N6的源極和第二NMOS管N2的柵極和漏極、第三NMOS管N3的柵極和漏極、第四NMOS管N4的柵極和漏極、第五NMOS管N5的柵極和漏極連接，第七NMOS管N7的源極與第九NMOS管N9的漏極和第一電容C1的一端連接，第八NMOS管N8的源極與第十NMOS管N10的漏極和第二電容C2的一端連接，第二電容C2的另一端與第一電容C1的另一端、第七PMOS管P7的柵極、第十一NMOS管N11的源極、第三電容C3的一端連接；

第十一NMOS管N11的漏極和第三電容C3的另一端和第六PMOS管P6的漏極、第四電容C4的另一端和第十九NMOS管N19的漏極連接作基準電壓源的輸出端；

第一邏輯控制信號SW1與第六NMOS管N6的柵極和第八NMOS管N8的柵極連接，第二邏輯控制信號SW2與第七NMOS管N7的柵極連接，第三邏輯控制信號SW3第九NMOS管N9的柵極和第十NMOS管N10的柵極連接，第四邏輯控制信號SW4與第十一NMOS管N11的柵極連接；

第七PMOS管P7的源極與第八PMOS管P8的源極和第五PMOS管P5的漏極連接、漏極與第十七NMOS管N17的漏極和柵極以及第十八NMOS管N18的柵極連接，第八PMOS管P8的漏極與第四電容C4的一端、第十八NMOS管N18的漏極和第十九NMOS管N19的柵極連接；

第一PMOS管P1的源極、第二PMOS管P2的源極、第三PMOS管P3的源極、第四PMOS管P4的源極、第五PMOS管P5的源極和第六PMOS管P6的源極均連接電源VDD；

第一NMOS管N1的源極、第二NMOS管N2的源極、第三NMOS管N3的源極、第四NMOS管N4的源極、第五NMOS管N5的源極、第九NMOS管N9的源極、第十NMOS管N10的源極、第十二NMOS管N12的源極、第十三NMOS管N13的源極、第十四NMOS管N14的源極、第十六NMOS管N16的源極、第十七NMOS管N17的源極、第十八NMOS管N18的源極、第十九NMOS管N19的源極、第一PMOS管P1的柵極和第八PMOS管P8的柵極均接地。