[發(fā)明專利]一種基于AlSiC復(fù)合基板封裝的LED無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310301102.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103383985A | 公開（公告）日： | 2013-11-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李國(guó)強(qiáng);凌嘉輝;劉玫潭;劉家成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/48 | 分類號(hào)： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 陳文姬 |
| 地址： | 510641 廣*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 alsic 復(fù)合 封裝 led | ||
1.一種基于AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，包括鍍有AlN絕緣層的AlSiC復(fù)合散熱基板、兩個(gè)銅膜電極、LED芯片和金線，所述LED芯片封裝在所述鍍有AlN絕緣層的AlSiC復(fù)合散熱基板上；兩個(gè)銅膜電極鍍于AlN絕緣層上，分別通過金線與LED芯片的正、負(fù)極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述AlN絕緣層的厚度為2.5μm-3μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述LED芯片為單顆粒封裝的LED芯片或?yàn)槎囝w粒LED芯片集成的光源模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的基于AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述LED芯片采用COB封裝工藝封裝在所述鍍有AlN絕緣層的AlSiC復(fù)合散熱基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述AlN絕緣層為采用磁控濺射方法在AlSiC復(fù)合散熱基板的表面鍍的AlN絕緣層。
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