[發(fā)明專利]一種用AlSiC復(fù)合基板封裝的LED有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310301070.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103390715A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李國強(qiáng);凌嘉輝;劉玫潭;劉家成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/48 | 分類號(hào)： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 陳文姬 |
| 地址： | 510641 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 alsic 復(fù)合 封裝 led | ||
1.一種用AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，包括表面依次鍍有銅膜和銀膜的AlSiC復(fù)合散熱基板、LED光源模塊、金線和氧化鋁陶瓷邊框；所述LED光源模塊封裝在AlSiC復(fù)合散熱基板上；所述氧化鋁陶瓷邊框設(shè)于LED光源模塊外側(cè)，與LED光源模塊粘接；所述氧化鋁陶瓷邊框上鍍有兩個(gè)銅膜電極，兩個(gè)銅膜電極分別通過金線與LED光源模塊的正、負(fù)極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述銅膜包括第一層銅膜和第二層銅膜，所述第一層銅膜采用化學(xué)鍍的方法在AlSiC復(fù)合散熱基板的表面制備，所述第二層銅膜采用電鍍的方法在第一層銅膜的表面制備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述第一層銅膜的厚度為0.8-1μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述第二層銅膜的厚度為10-20μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述銀膜采用無氰電鍍的方法制備。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用AlSiC復(fù)合基板封裝的LED，其特征在于，所述LED光源模塊采用COB封裝工藝封裝在AlSiC復(fù)合散熱基板上。
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