[發(fā)明專利]捷變頻窄脈沖光發(fā)生器及控制方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310301068.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103415108A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭增榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州中瑞科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05B37/02 | 分類號(hào): | H05B37/02;G03B15/05 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 變頻 脈沖 發(fā)生器 控制 方法 | ||
1.一種捷變頻窄脈沖光發(fā)生器,其特征是,包括殼體(1),設(shè)于殼體內(nèi)的窄脈沖信號(hào)發(fā)生器(2)、晶體管MOSFET(3)、燈板(20),設(shè)于燈板前表面上的若干個(gè)LED發(fā)光塊(4),設(shè)于殼體前部的燈罩和設(shè)于燈板上的散熱結(jié)構(gòu),散熱結(jié)構(gòu)露出殼體之外;窄脈沖信號(hào)發(fā)生器與晶體管MOSFET電連接,晶體管MOSFET的漏極D分別與各個(gè)LED發(fā)光塊電連接;窄脈沖信號(hào)發(fā)生器與攝像機(jī)(5)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器,其特征是,所述窄脈沖信號(hào)發(fā)生器包括控制器(6)和分別與控制器電連接的頻閃信號(hào)接收模塊(7)、抓拍信號(hào)接收模塊(8)和窄脈沖信號(hào)輸出模塊(9);殼體上設(shè)有光照度傳感器(10),燈板上設(shè)有溫度傳感器(11),光照度傳感器和溫度傳感器分別與控制器電連接;頻閃信號(hào)接收模塊和抓拍信號(hào)接收模塊分別與攝像機(jī)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器,其特征是,所述散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)于燈板后表面上并與燈板垂直連接的若干個(gè)矩形環(huán)狀金屬管(12),燈板的外表面上設(shè)有兩個(gè)開口面向燈板的U形固定桿,兩個(gè)固定桿上設(shè)有若干個(gè)平行排列的散熱片(13),散熱片分別與各個(gè)金屬管的遠(yuǎn)離燈板的端管垂直連接,金屬管內(nèi)有液體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器,其特征是,所述金屬管上纏繞有冷卻管,冷卻管呈螺旋狀,冷卻管兩端分別與儲(chǔ)水箱相連接,儲(chǔ)水箱內(nèi)設(shè)有冷卻水,儲(chǔ)水箱上設(shè)有用于帶動(dòng)冷卻水在冷卻管和儲(chǔ)水箱內(nèi)循環(huán)流動(dòng)的水泵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器,其特征是,所述散熱結(jié)構(gòu)包括設(shè)于燈板內(nèi)的若干個(gè)平行排列的散熱銅管(15)、設(shè)于燈板內(nèi)并分別與散熱銅管一端相連通的進(jìn)水銅管(16)和設(shè)于燈板內(nèi)并分別與散熱銅管另一端相連通的出水銅管(17);出水銅管上設(shè)有抽氣泵(19),進(jìn)水銅管與散熱銅管的交接部位設(shè)有水霧化噴嘴(18),進(jìn)水銅管和出水銅管分別與儲(chǔ)水箱相連接,儲(chǔ)水箱內(nèi)設(shè)有冷卻水,儲(chǔ)水箱上設(shè)有用于帶動(dòng)冷卻水在散熱銅管、進(jìn)水銅管、出水銅管和儲(chǔ)水箱內(nèi)循環(huán)流動(dòng)的水泵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器,其特征是,LED發(fā)光塊為3個(gè),LED發(fā)光塊包括80至120個(gè)LED燈珠,LED燈珠的工作電流為1.5A至2.1A。
7.一種適用于權(quán)利要求1所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器的控制方法,其特征是,包括如下步驟:
(7-1)在控制器中設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍和標(biāo)準(zhǔn)光照強(qiáng)度范圍,溫度傳感器檢測燈板的溫度,光照度傳感器檢測環(huán)境亮度,檢測的溫度值和亮度值傳輸?shù)娇刂破髦校?!-- SIPO
(7-2)控制器將檢測到的溫度值與標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍進(jìn)行比較,控制器將檢測到的亮度值與標(biāo)準(zhǔn)光照強(qiáng)度范圍進(jìn)行比較;當(dāng)檢測的溫度值<標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍的下限值,并且檢測的亮度值<標(biāo)準(zhǔn)光照強(qiáng)度范圍的下限值,轉(zhuǎn)入(7-3);
(7-3)當(dāng)頻閃信號(hào)接收模塊接收到攝像機(jī)的頻閃信號(hào)或抓拍信號(hào)接收模塊接收到攝像機(jī)的抓拍信號(hào)時(shí),控制器產(chǎn)生與頻閃信號(hào)或抓拍信號(hào)相同頻率的窄脈沖信號(hào),窄脈沖信號(hào)輸入到窄脈沖信號(hào)輸出模塊中;
窄脈沖信號(hào)從窄脈沖信號(hào)輸出模塊輸入到晶體管MOSFET的G極,?晶體管MOSFET有脈沖時(shí)導(dǎo)通,無脈沖時(shí)截止;
LED發(fā)光塊在有脈沖時(shí)發(fā)射出光照強(qiáng)度平均值為400勒克斯至500勒克斯,光脈沖頻率和脈寬與窄脈沖信號(hào)相同的光;
(7-4)當(dāng)檢測的溫度值≥標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍的上限值,或檢測的亮度值≥標(biāo)準(zhǔn)光照強(qiáng)度范圍的上限值時(shí),則控制器繼續(xù)將檢測到的溫度值與標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍進(jìn)行比較,控制器繼續(xù)將檢測到的亮度值與標(biāo)準(zhǔn)光照強(qiáng)度范圍進(jìn)行比較;
當(dāng)檢測的溫度值低于標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍的下限值,并且檢測的亮度值低于標(biāo)準(zhǔn)光照強(qiáng)度范圍的下限值時(shí),轉(zhuǎn)入(7-3)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器的控制方法,其特征是,所述步驟(7-3)中頻閃信號(hào)接收單元接收到的頻閃信號(hào)或抓拍信號(hào)的頻率為8至3000hz。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器的控制方法,其特征是,所述標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍為70℃至80℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8或9所述的捷變頻窄脈沖光發(fā)生器的控制方法,其特征是,標(biāo)準(zhǔn)光照強(qiáng)度范圍為400勒克斯至500勒克斯。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州中瑞科技有限公司,未經(jīng)杭州中瑞科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310301068.9/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





