[發明專利]基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED及其制作方法

無效

• 申請號: 201310300971.3
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN103367655A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 李陽;徐維
• 申請（專利權）人: 五邑大學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 譚志強

1.基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED，包括玻璃襯底（1）并形成于陰極（2）和陽極（3）組成的兩個電極之間的多個有機層（4），所述有機層有至少一個發光層（41），其特征在于：所述的玻璃襯底（1）上形成有一層由納米壓印光刻工藝制備而成的光子晶體微結構。

2.根據權利要求1所述的基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED，其特征在于：陽極（3）位于玻璃襯底（1）之上，還包括位于陽極（3）之上的空穴注入層（42），位于空穴注入層（42）之上的空穴傳輸層（43），位于空穴傳輸層（43）之上陰極（2）之下的有機發光層（41）。

3.根據權利要求2所述的基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED，其特征在于：所述的空穴注入層（42）為氧化鉬（MoO3）層。

4.根據權利要求2所述的基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED，其特征在于：所述空穴傳輸層（43）為NPB層。

5.根據權利要求2所述的基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED，其特征在于：所述的有機發光層（41）為Alq層。

6.根據權利要求2所述的基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED，其特征在于：所述的陰極（2）由氟化鋰（LiF）層（21）和金屬鋁（Al）層（22）復合而成。

7.用于制作1至6任一所述基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED的方法，其特征在于：該OLED包括玻璃襯底（1）并形成于陰極（2）和陽極（3）組成的兩個電極之間的多個有機層（4），所述有機層有至少一個發光層（41），其特征在于：所述的玻璃襯底（1）上的光子晶體微結構采用以下方法制成：

在石英襯底上制作光子晶體微結構的納米壓印模版；

在OLED光學玻璃襯底（1）上旋涂一層紫外納米壓印光刻膠；

將納米壓印模版壓入光刻膠中，讓光刻膠固化后脫模實現納米壓印圖形轉移；

采用反應離子刻蝕技術將光刻膠上的光子晶體微結構圖形成功轉移動OLED襯底表面上；

再在其上制備一層SiN透明介質材料薄膜。

8.根據權利要求7所述用于制作基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED的方法，其特征在于：所述納米壓印模版采用以下的方法制作而成：

選用對紫外光線透明性能良好的石英玻璃作為壓印模板的制備材料；

用酒精、丙酮、酒精溶液，依次對石英基片進行超聲清洗各15分鐘并氮氣吹干待用；

在石英玻璃表面蒸鍍一層20?nm的金屬Cr薄膜，并在其上旋涂一層電子束光刻膠；

利用電子束直寫技術進行光刻膠直寫曝光、顯影；以光刻膠為阻擋層，干法刻蝕工藝刻蝕金屬薄膜Cr；

以Cr為阻擋層干法刻蝕工藝刻蝕石英，從而得到石英襯底上光子晶體微結構的納米壓印模板。

9.根據權利要求7所述用于制作基于光子晶體微結構襯底的高亮度OLED的方法，其特征在于：納米壓印模版壓入光刻膠制備光子晶體微結構的方法如下：

在十級超凈間內，將OLED光學玻璃襯底（1）材料上旋涂一層紫外納米壓印光刻膠，滴膠量為3μL?，涂覆速度為?2500rpm，涂覆時間為50s；

采用紫外納米壓印機，啟動納米壓印程序，設置模板厚度、基片厚度、光刻膠厚度、真空壓力、曝光時間等參數，進行壓印過程控制，將納米壓印模版壓入光刻膠中；

納米壓制模板壓入光刻膠完成之后，進行紫外曝光過程。采用40w?的汞燈光源作為曝光光源，經光學系統聚集后，從模板背面射入整個壓印腔體，紫外光透過石英模板，使光刻膠固化。隨即進行脫膜，實現納米壓印圖形轉移。