[發(fā)明專(zhuān)利]隱形的偽部件及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310300949.9
• 申請(qǐng)日: 2013-07-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104051430A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃偉杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/544
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/544;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種裝置，包括：

形成在襯底上的重合標(biāo)記；以及

形成在所述重合標(biāo)記附近的多個(gè)偽部件；

其中：

每個(gè)所述偽部件的尺寸均小于可被對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)工具檢測(cè)到的最小閥值；并且

將所述重合標(biāo)記與它最近的偽部件分離的最小距離與形成所述重合標(biāo)記的半導(dǎo)體制造技術(shù)代可實(shí)現(xiàn)的最小間距相關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述偽部件由每個(gè)均小于約0.085微米的大量偽元件組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述偽部件以基本對(duì)稱(chēng)的方式設(shè)置在所述重合標(biāo)記周?chē)?/p>

4.一種半導(dǎo)體制造中的對(duì)準(zhǔn)裝置，包括：

設(shè)置在襯底上的重合標(biāo)記，所述重合標(biāo)記包括多個(gè)子部件；以及

靠近所述重合標(biāo)記設(shè)置的多個(gè)偽部件；

其中：

所述偽部件具有低于重合標(biāo)記檢測(cè)器的分辨率的尺寸，所述重合標(biāo)記檢測(cè)器用于檢測(cè)所述重合標(biāo)記；

所述重合標(biāo)記和所述偽部件之間的最小距離大約等于半導(dǎo)體制造技術(shù)節(jié)點(diǎn)下可實(shí)現(xiàn)的最小間距；

至少一些所述偽部件具有與所述重合標(biāo)記的所述子部件相似的俯視形狀；以及

至少一個(gè)子集的所述偽部件設(shè)定為具有與所述重合標(biāo)記類(lèi)似的共同俯視輪廓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)裝置，其中，所述最小距離基本等于最精密的間距。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)裝置，其中，所述偽部件設(shè)置成關(guān)于重合標(biāo)記基本對(duì)稱(chēng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)裝置，其中，所述偽部件的尺寸為所述偽部件相對(duì)于所述重合標(biāo)記的位置的函數(shù)，其基于所述位置而改變。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)裝置，其中：

所述重合標(biāo)記包括設(shè)置在第二框內(nèi)的第一框；以及

所述偽部件設(shè)置在所述第一框內(nèi)、所述第一框和所述第二框之間以及所述第二框外部。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上形成重合標(biāo)記并且在所述重合標(biāo)記附近形成多個(gè)偽部件；

其中：

所述偽部件每個(gè)的尺寸都低于對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)工具的分辨率，所述對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)工具被配置成在對(duì)準(zhǔn)工藝中光學(xué)掃描所述重合標(biāo)記；以及

將所述重合標(biāo)記與它最近的偽部件分離的最小距離與所述重合標(biāo)記形成的半導(dǎo)體制造技術(shù)代的最小間距相關(guān)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述偽部件由每個(gè)都小于約0.085微米的多個(gè)元件組成。