[發明專利]一種制備銅鋅錫硫光電薄膜的方法

有效

• 申請號: 201310300895.6
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN103388139A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 劉科高;石璐丹;李靜;石磊;許斌
• 申請（專利權）人: 山東建筑大學
• 主分類號: C23C20/08
• 分類號: C23C20/08;H01L31/032
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制備銅鋅錫硫光電薄膜的方法，包括如下順序的步驟：?

a.玻璃基片或硅基片的清洗；?

b.將2.0～4.0份CuCl₂·2H₂O、1.0～2.0份ZnCl₂·2H₂O、1.3～2.6份SnCl₂·2H₂O和1.77～3.53份CH₄N₂S放入30～120份的溶劑中，使溶液中的物質均勻混合；?

c.制作外部均勻涂抹步驟b所述溶液的基片，并烘干，得到前驅體薄膜樣品；?

d.將步驟c所得前驅體薄膜樣品置于支架上，放入有水合聯氨的可密閉容器，使前驅體薄膜樣品不與聯氨接觸，將裝有前軀體薄膜樣品的密閉容器放入烘箱中，加熱至160～220℃之間，保溫時間10～60h小時，然后冷卻到室溫取出；?

e.將步驟d所得產物，進行自然干燥，得到銅鋅錫硫光電薄膜。?

2.如權利要求1所述的一種制備銅鋅錫硫光電薄膜的方法，其特征在于，步驟a所述清洗，是將大小為2mm×2mm玻璃基片或硅基片，放入體積比三氯甲烷∶乙醇＝5∶1的溶液中，超聲波清洗；再將基片放入丙酮∶蒸餾水＝5∶1的溶液中，超聲波清洗；再在蒸餾水中將基片用超聲波振蕩；將上述得到的基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。

3.如權利要求1所述的一種制備銅鋅錫硫光電薄膜的方法，其特征在于，步驟b所述溶劑為去離子水、乙醇、乙二醇、鹽酸中的至少一種。

4.如權利要求1所述的一種制備銅鋅錫硫光電薄膜的方法，其特征在于，步驟c所述均勻涂布的基片，是通過勻膠機旋涂，勻膠機以200～3500轉/分旋轉，然后對基片進行烘干后，再次如此重復2～15次，得到了一定厚度的前驅體薄膜樣品。

5.如權利要求1所述的一種制備銅鋅錫硫光電薄膜的方法，其特征在于，步驟d所述密閉容器內放入40.0～9.0份水合聯氨。?