[發(fā)明專利]相變存儲器的加熱電極及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310300397.1
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN104300081B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設計）人: 程國勝;王龍;孔濤;衛(wèi)芬芬;黃榮;張杰
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 楊林,李友佳

1.一種相變存儲器的加熱電極,所述電極包括：

第一層,連接到所述相變存儲器的相變材料；所述第一層包括由嵌段共聚物氧化形成的圖案化絕緣層；所述圖案化絕緣層具有空隙結構，其空隙率為10％～65％；所述嵌段共聚物為主要由前段聚合物-聚二甲基硅氧烷形成的兩段或多段嵌段共聚物；

第二層，連接到所述第一層，并且透過所述圖案化絕緣層的空隙結構與所述相變材料連接；所述第二層的材料包括鎢、鈦以及鎢或鈦的氮化物。

2.根據權利要求1所述相變存儲器的加熱電極，其特征在于：所述前段聚合物包括聚苯乙烯、聚乙烯、烯丙基聚氧乙烯醚、聚乙烯基吡咯烷酮以及聚丁烯中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述相變存儲器的加熱電極，其特征在于：所述空隙結構為線條狀或孔洞狀。

4.根據權利要求3所述相變存儲器的加熱電極，其特征在于：所述空隙結構呈陣列排布。

5.一種如權利要求1所述的相變存儲器的加熱電極的制備方法，其中，所述相變存儲器包括相變材料以及包覆所述相變材料的絕緣層，所述絕緣層上設置有一孔槽連通至所述相變材料，其特征在于：該方法包括步驟：

(a)制備嵌段共聚物混合溶液：將前段聚合物-聚二甲基硅氧烷溶于甲苯和庚烷的混合溶劑中，獲得嵌段共聚物混合溶液；

(b)將嵌段共聚物混合溶液旋涂于所述孔槽上，使嵌段共聚物混合溶液注入所述孔槽涂覆于所述相變材料上；

(c)應用溶劑退火工藝使涂覆于所述相變材料上的嵌段共聚物混合溶液形成固體薄膜；

(d)應用反應離子蝕刻工藝對所述固體薄膜進行刻蝕，形成具有空隙結構的固體薄膜；

(e)應用氧等離子刻蝕工藝使所述具有空隙結構的固體薄膜氧化，形成圖案化絕緣層，獲得所述電極的第一層；

(f)在所述第一層上應用沉積工藝制備所述第二層，所述第二層的材料包括鎢、鈦以及鎢或鈦的氮化物。

6.根據權利要求5所述相變存儲器的加熱電極的制備方法，其特征在于：所述前段聚合物包括聚苯乙烯、聚乙烯、烯丙基聚氧乙烯醚、聚乙烯基吡咯烷酮以及聚丁烯中的一種或多種。

7.根據權利要求5所述相變存儲器的加熱電極的制備方法，其特征在于：所述溶劑退火工藝是在一密閉的容器中，并在常溫下進行,退火的時間為3～4小時；所述溶劑為所述嵌段共聚物混合溶液。

8.根據權利要求5所述相變存儲器的加熱電極的制備方法，其特征在于：通過改變所述混合溶劑中的甲苯的體積分數來調節(jié)所述圖案化絕緣層的形貌類型。

9.根據權利要求8所述相變存儲器的加熱電極的制備方法，其特征在于：所述甲苯的體積分數的范圍是50％～100％。

10.根據權利要求7所述相變存儲器的加熱電極的制備方法，其特征在于：在進行溶劑退火工藝時，通過改變溶劑表面積S與腔室體積V比值S/V來調節(jié)所述圖案化絕緣層的線寬或直徑；其中，所述溶劑表面積S指的是將相變存儲器器件放入裝有反應溶劑的反應腔室后，所述反應腔室中反應溶劑的表面積；所述腔室體積V是指整個反應腔室的體積。